Schichtsystem aus einem siliziumbasierten Träger mit aufgebrachter Heterostruktur
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zu Grunde, dass sich die plastische Deformation des Siliziumsubstrats hemmen lässt, indem das Silizium mit Dotanden, wie z. B. Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff versehen wird und sich über mindestens 30 % der Dicke des
dotierten Siliziumsubstrats erstreckt. Die Grenzkonzentration kann mittels vorgegebener Formel ermittelt werden.
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Peter Lösler
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