Gegenstand der Schutzrechte ist ein Verfahren zur Herstellung eines Doppelheterostruktur-Bipolartransistors für hohe Betriebsspannungen. Der Aufbau erfolgt in einer Schichtenfolge, die ihn sowohl für hohe Betriebsspannungen, als auch für hohe Ströme und hohe Frequenzen einsetzbar macht. Eine hohe Durchbruchspannung wird hierbei durch die entsprechende Wahl des Kollektormaterials erreicht.
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PVA Mecklenburg-Vorpommern AG
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Moritz v. Grotthuss, Dr. Rüdiger Werp
