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Bow-Eliminierung bei dünnen Solarzellen durch kurzzeitiges Tiefkühlen

Durch einen einfachen Tiefkühlschritt wird bei dünnen Siliziumwafern nach der Verstringung die Verbiegung der Wafer (Bow-Bildung!) aktiv rückgängig gemacht. Dadurch können auch größere Wafer mit einer Dicke unter 200 µm hergestellt werden, was ein hohes Einsparpotentiel im Hinblick auf den teuren Rohstoff hochreines Silizium darstellt.

Weitere Informationen: PDF

Technologie-Lizenz-Büro (TLB) der Baden-Württembergischen Hochschulen GmbH
Tel.: +49 (0)721/79 00 40

Ansprechpartner
Professor Dr. Arno Basedow

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