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Kostengünstige Methode zur Herstellung einer glatte Siliziumkarbid-Oberfläche auf Silizium-Wafern

Siliziumkarbid wird zum Beispiel als Substrat für das epitaktische Wachsen von Galliumnitrid benutzt, aus dem Lichtdioden oder blaue Laser hergestellt werden. Siliziumkarbid Wafer sind jedoch deutlich teurer als Silizium Wafer; Siliziumkarbid-Oberflächen, die auf Silizium Wafern aufgewachsen wurden, zeigen jedoch in der Regel einen großen Warpage. Die Erfindung beschreibt eine kostengünstige Methode, um eben, hochqualitative Siliziumkarbid-Oberflächen mit Standard-Prozessen auf Silizium Wafern herzustellen.

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Bayerische Patentallianz GmbH
Tel.: +49 89 5480177-0

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Peer Biskup

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