Technologieangebote

Isolationsmaterial mit niedriger Dielektrizitätskonstante k kleiner als 2

Die hier vorliegende Erfindung bietet ein Isolationsschichtmaterial für die Mikroelektronik mit niedriger Dielektrizitätskonstante k kleiner als 2 sowie ein dazugehöriges Herstellungs-verfahren an. Das erfindungsgemäße Isolationsschichtmaterial setzt sich aus fluorierten Kohlenstoffnanoröhrchen, die mittels eines Haftmittels zusammengebunden werden, zusammen.

Weitere Informationen: PDF

Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Tel.: +49 (0)89/1205-6000

Ansprechpartner
Dr. Wolfgang Knappe

Kommentare (0)

Schreiben Sie einen Kommentar