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Feldeffekttransistor-Sensor

Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere für die Verwendung in der Rastersondenmikroskopie, zur Untersuchung von Probenoberflächen i. V. m. einem Feldeffekttransistor. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf einen hochauflösenden Hallsensor zum Detektieren von magnetischen Feldern.

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GINo Gesellschaft für Innovation Nordhessen mbH
Tel.: +49 (0)561/8041984

Ansprechpartner
Dr. Heike Krömker

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