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Mehr Speicherkapazität auf zunehmend begrenztem Platz

07.04.2005


Innovative Speicherprodukte von Infineon verbessern mobile Computer und Grafikanwendungen


Infineon Technologies AG unterstreicht seine führende Position als Anbieter innovativer Speicherprodukte mit der Ankündigung von hochkomplexen Produkten für mobile Computer und Grafikanwendungen. Diese helfen Systemherstellern den Anforderungen an zunehmende Mobilität, Miniaturisierung und realitätsnaher Grafik gerecht zu werden.

Aufbauend auf industrieweit führende Speicherkonzepte wie der Dual-Die-Technologie oder innovative Steckverbindungstechniken, kündigte Infineon folgende Speicherprodukte für mobile Computerapplikationen an:

  • 2 GByte Dual-Die DDR2 SO-DIMMs (Double Data Rate 2, Small Outline Dual Inline Memory Module) mit verbessertem thermischen Verhalten und Stromverbrauch
  • Höchste Speicherdichte bei kleinster DIMM-Abmessung mit dem 1 GByte DDR2 Micro-DIMM

Darüber hinaus erweiterte Infineon sein Grafikspeicher-Portfolio für Grafikanwendungen im Mainstream-Bereich und das High-Performance Segment um zwei neue Produkte:

  • 512-Mbit-GDDR3-Chips (Graphics Double Data Rate 3) bieten hohe Speicherkapazität und höchste Bandbreite für 3D-Grafiken
  • Neuer 256-Mbit-DDR2- Grafik-RAM (Random Access Memory) bietet bis zu 450 MHz bei reduziertem Platzbedarf und erweiterter Funktionalität

Für einen schnellen Überblick sind die Ankündigungen im Folgenden kurz zusammengefasst. Weitere Informationen erhält man über die angegebenen Web URLs oder bei Infineon Media Relations.

Neues Dual-Die-basiertes 2 GB DDR2 SO-DIMM für leistungsfähige Notebooks der nächsten Generation

Erste Entwicklungsmuster des 2 GB DDR2 SO-DIMMs auf Basis der Dual-Die-Technologie für die nächste Generation von leistungsfähigen Notebooks und Laptop-PCs, die aufgrund reduzierter Abmessungen „dünnere“ Speichermodule benötigen, sind jetzt verfügbar. Die 2 GB DDR2 SO-DIMMs von Infineon werden mit achtzehn 2-Gbit-Dual-Die-DDR2-Speicherkomponenten gefertigt und erreichen damit die aktuell maximale Speicherkapazität von 2 GByte bei einer Moduldicke von nur 3,8 mm und einer Standardhöhe von 30 mm. Die Module sind mit zwei Speicher-Rängen organisiert und arbeiten mit 1,8 Volt.

Die Dual-Die-DDR2-Komponenten von Infineon haben die industrieweit geringste Leistungsaufnahme: die aktive Leistungsaufnahme ist um 30 Prozent niedriger als alternative Lösungen, während das thermische Verhalten durch die reduzierte Abwärme um ein Drittel verbessert wird. Infineon ist auch bei der Dual-Die-Technologie, bei der zwei identische Chips (Dies) in einem BGA (Ball Grid Array)-Gehäuse gestapelt werden, industrieweit führend. Die Dual-Die-Technologie ist eine Voraussetzung, um die nächste hochkomplexe Generation von Speichermodulen ohne signifikant größere Abmessungen fertigen zu können.

Laut Marktstudien von iSuppli wird die Nachfrage nach Notebooks von 36,1 Millionen Einheiten in 2003 auf etwa 52,2 Millionen Einheiten in 2006 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 13 Prozent wachsen. Muster der 2 GB DDR2 SO-DIMMs sind zu einem Preis von 1700 US-Dollar verfügbar.

1 GB DDR2 Micro-DIMM mit maximaler Speicherkapazität bei kleinstem Platzbedarf

Infineon erweitert sein DDR2 Micro-DIMM-Angebot um Module mit einer Dichte von 1 Gbyte. Diese werden die Fertigung von leichteren und schmäleren Sub-Notebooks mit erweiterten Funktionen und längerer Batterielebensdauer beschleunigen. Erste Muster wurden an ausgewählte Kunden geliefert. Die JEDEC (Joint Electronic Development Council)-kompatiblen Micro-DIMMs benötigen bei gleicher Kapazität nur 65 Prozent der Fläche von SO-DIMMs (Small Outline DIMMs), die in konventionellen Notebooks eingesetzt werden. Micro-DIMMs verfügen über einen 214-poligen Mezzanine-Stecker, der es erlaubt die Gesamtgröße des Moduls zu verringern und den vom Stecker benötigten Bereich um 35 Prozent zu reduzieren. Außerdem wird durch den Einsatz von Low-power-DDR2-Speicherkomponenten die Leistungsaufnahme des Moduls um etwa 50 Prozent reduziert. Dadurch kann entweder die Batterielebensdauer erhöht oder die Batteriegröße für Sub-Notebooks reduziert werden.

Das Marktforschungsunternehmen Gartner erwartet, dass Sub-Notebooks bis 2007 mit 9,4 Millionen Einheiten etwa 17 Prozent des Notebook-Marktes ausmachen werden. Infineon ist derzeit der einzige DRAM-Hersteller, der Micro-DIMMs in Volumenstückzahlen fertigt.

Die 1 GByte DDR2 Micro-DIMMs basieren auf acht 1-Gbit-DDR2-Komponenten und erweitern das bisherige Angebot an DDR2 Micro-DIMMs von Infineon mit Kapazitäten von 512 und 256 MByte. Muster in den Geschwindigkeitsklassen PC2-3200 und PC2-4300 sind jetzt erhältlich.

Neue 512-Mbit-GDDR3-Komponenten für leistungsfähige Grafiksysteme in Desktop-PCs und Notebooks

Infineon erweitert sein Portfolio an Grafikspeichern mit einem 512 Mbit GDDR3 (Graphic Double Data Rate 3) Grafik-DRAM. Der neue GDDR3-Speicherchip ist zu 16 Mbit x 32 organisiert und ermöglicht mit der Taktfrequenz von 800 MHz eine Datenbandbreite von 51,2 Gbit/s. Mit diesem neuen Speicher zielt Infineon auf leistungsfähige Grafiksysteme für Desktop-PCs und Notebooks ab.

Große Framebuffer und hohe Bandbreiten sind Schlüsselfaktoren, um PC-Spiele möglichst realistisch darstellen zu können. Der 512-Mbit-GDDR3-Chip ermöglicht die Fertigung von Spitzen-Grafikkarten mit Framebuffern von 512 MByte oder sogar 1 GByte und Datenbandbreiten bis zu 51,2 GByte/s. Der 512 Mbit GDDR3 bietet Taktfrequenzen von bis zu 800 MHz bei einer Betriebsspannung von 1,9 Volt. Der Speicherbaustein ist in einem JEDEC- konformen 136-Ball-FBGA Gehäuse mit den Abmessungen 11 mm x 14 mm x 1,2 mm verfügbar.

Mit seiner Speicherkomplexität von 512 Mbit ist der neue Speicherbaustein ideal für Framebuffer in Notebooks mit 128 MByte oder 256 MByte geeignet. Auch der Betrieb mit einer Vdd/Vddq-Spannung von 1,8 V speziell für Notebook-Applikationen ist mög-lich. Darüber hinaus bietet der 512-Mbit-GDDR3-Chip von Infineon mit den Abmessungen von nur 11 mm x 14 mm die höchste Speicherdichte aller erhältlichen Grafik-DRAMs.

Erste Muster wurden im Februar 2005 an Schlüsselkunden geliefert, die Volumenfertigung ist für die zweite Jahreshälfte 2005 geplant.

256-Mbit-DDR2-Grafikspeichern; Versionen mit bis zu 450 MHz verfügbar

Mit der 256-Mbit-DDR2-Version, die seit März im Volumen gefertigt werden, bietet Infineon nun das komplette Portfolio an Grafikspeichern für den Mainstream-Bereich und für Systeme mit hoher Leistungsfähigkeit. Der 256-Mbit-DDR2-Grafik-RAM von Infineon für Standalone-Grafikkarten erhöht die Leistungsfähigkeit für Grafik- und Spiele-Applikationen im Mainstream-Bereich zu wettbewerbsfähigen Preisen. Der neue 256-Mbit-DDR2-Grafikspeicher ist in einem platzsparenden FBGA-84-Gehäuse untergebracht. Er arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V und ist damit prädestiniert für die neuesten Notebooks und Desktop-PCs.

Durch Erhöhung der Taktfrequenz um 50 Prozent auf bis zu 450 MHz gegenüber den Vorgängergenerationen können Datenbandbreiten von bis zu 1,8 GByte/s erreicht werden. Das FBGA-84-Gehäuse ist nur halb so groß wie bisherige DDR-Grafik-RAMs. Der neue DDR2-Grafikspeicher hat außerdem die “On Die Termination”-Funktionalität integriert. Diese Funktion gewährleistet eine zuverlässige Verarbeitung der Lese- und Schreibsignale bei Taktraten von mehr als 250 MHz.

Der neue DDR2-Grafikspeicher (256 Mbit, 16 M x 16, 300 MHz bis 400 MHz) ist in Volumenstückzahlen erhältlich. Erste Qualifizierungsmuster der 450 MHz-Version sind ebenfalls verfügbar.

Karin Braeckle | Infineon Technologies AG
Weitere Informationen:
http://www.infineon.com
http://www.infineon.com/memory/Graphics
http://www.infineon.com/memory

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