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Schnellster Transistor auf Silizium-Basis vorgestellt

04.11.2002


350 GHz Taktfrequenz für Kommunikationsanwendungen



IBM hat heute den nach eigenen Angaben den schnellsten Transistor auf Silizium-Basis vorgestellt. Wie der Konzern in einer Aussendung mitteilt, wurde der bipolare Transistor mit Silizium-Germanium-Technologie (SiGe) erzeugt und erreicht eine Taktfrequenz von 350 GHz. IBM geht davon aus, dass dieser Transistor innerhalb von zwei Jahren Prozessoren mit einer Taktfrequenz von 150 GHz ermöglichen wird. Diese Chips sollen vor allen in Kommunikationsanwendungen zum Einsatz kommen.



Die Taktfrequenz eines Transistors wird dadurch bestimmt, wie schnell Elektronen sie passieren können. Dies ist wiederum abhängig vom Halbleiter-Material des Transistors sowie der Länge des Weges, den ein Elektron zurücklegen muss. Neben der Beschleunigung durch den Einsatz von SiGe stützten sich die IBM-Wissenschafter bei dem 350 GHz-Transistor vor allem auf ein neuartiges Design. Nach Darstellung des Konzerns können diese bipolaren Transistoren in bestehenden Werken hergestellt werden.

In konventionellen Transistoren bewegen sich Elektronen horizontal. Um den Weg der Elektronen zu verkürzen, muss der Transistor schmäler gebaut werden, ein Unternehmen, das zunehmend schwerer umzusetzen ist. Bei dem bipolaren Transistor werden die Elektronen nicht horizontal sondern vertikal weitergeleitet. So lässt sich der Weg für die Elektronen verkürzen, indem die Höhe des Transistors verringert wird. Damit konnten die Wissenschafter einen Geschwindigkeitsvorsprung von 65 Prozent gegenüber bisherigen Silizium-Transistoren erreichen. Die Details zu der Technologie will das Unternehmen auf dem " International Electron Devices Meeting" (IEDM) im Dezember in San Francisco präsentieren.

Dominik Schebach | pressetext.austria
Weitere Informationen:
http://www.ibm.com

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