Mit neuer Technologie für zehnfach höhere Leistungen bei zukünftigen Transistoren

AMD (NYSE: AMD) gab heute bekannt, dass das Unternehmen den bisher kleinsten Double Gate Transistor mit Hilfe von Standardtechnologien hergestellt hat. Diese Transistoren, die zehn Nanometer oder ein zehn Milliardstel eines Meters (Gate) bemessen, sind sechsmal kleiner als der kleinste derzeit produzierte Transistor. Dadurch können auf einer Chipfläche, auf der heute 100 Millionen Transistoren Platz finden, in Zukunft eine Milliarde Transistoren untergebracht werden. Dies führt zu einer erheblich höheren Rechenleistung. Transistoren sind winzige Schalter, die bei den gegenwärtigen Mikroprozessoren die integrierten Schaltkreise bilden. Die Struktur von Double Gate Transistoren verdoppelt effektiv den Strom, der durch einen Transistor geleitet werden kann. Das Fin Field Effect Transistor Design (FinFET) basiert auf einer dünnen, vertikalen „Siliziumlamelle“, die den Leckstrom minimiert, solange der Transistor im AUS-Stadium ist. Ein solches Design ermöglicht, neue Chips mit mehr Leistung und immer kleineren Maßen herzustellen. „Die Transistorentwicklung ist entscheidend, wenn es darum geht, immer leistungsfähigere Produkte für unsere Kunden zu entwickeln“, so Craig Sander, Vice President Technology Development von AMD. „Die gesamte Halbleiterindustrie arbeitet mit Hochdruck daran, den wachsenden Herausforderungen gerecht zu werden, die bei der Entwicklung neuer Transistoren entstehen, die kleiner und leistungsstärker sind und zugleich nur eine geringe Abweichung von den heutigen Standardherstellungsverfahren aufweisen dürfen. Der FinFET Transistor beweist, dass wir weiterhin leistungsstarke Produkte liefern können, ohne die Basistechnologie unserer Industrie verlassen zu müssen.“

Der zehn Nanometer Complementary Metal Oxide Semiconductor Fin Field Effect Transistor (CMOS FinFET) von AMD ist das Ergebnis der gemeinsamen Forschung von AMD und der University of California in Berkeley mit Unterstützung der Semiconductor Research Corporation (SRC). Die Bausteine wurden im Submicron Development Center von AMD produziert. „Die überlegene Kontrolle des Leckstromes machen die FinFET Transistoren zu einem attraktiven Kandidaten für zukünftige Nano CMOS Generationen, die im kommenden Jahrzehnt in die Produktion gehen sollen“, so Dr. Tsu-Jae King, Associate Professor of Electrical Engineering and Computer Sciences von der U.C. Berkeley. „FinFET hat ein enormes Potenzial, die Skalierbarkeit der CMOS Technologie zu erweitern. „AMD und die University of California werden ein Dokument mit dem Titel „FinFET Scaling to 10 nm Gate Length“ beim International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco vom 9. bis zum 11. Dezember 2002 vorstellen.