Nitrid-basiertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung. Gruppe-III-Nitrid-basierte Hochleistungstransistoren, aber auch Fotodetektoren erfordern möglichst geringe Leckströme und hochwertige Grenzflächen. Dies wird erreicht durch die Beimengung eines chlorierten Übergangsmetalls während der Schichtabscheidung, was in einem hochwertigen Bauelement resultiert und vorzugsweise für die Herstellung von Transistorbauelementen genutzt wird.

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