lntrinsic Non-Volatile Logic-in-Memory with STT-MRAM
The invention relates to an electronic circuit comprising a plurality of 1T/1MTJ cells arranged in array and being selectable by word lines (Wls) and bit lines (Bls), wherein each 1T/1MTJ cell comprises an
STT-operated magnetic tunnel junction (MTJ) and an access transistor.
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Dr. Michael Hoschitz
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