Bipolartransistor II
Gegenstand der Schutzrechte ist ein Verfahren zur Herstellung eines Idiumphosphid-basierten Heterostruktur-Bipolartransistors auf der Grundlage von III/V-Halbleitern. Die Erfindung beinhaltet, dass beim Herstellungsprozess von Bipolartransistoren später wegzuätzende Bereiche des III/V-Halbleitermaterials durch Ionenimplantation gezielt geschädigt und anschließend durch nasschemisches Ätzen entfernt werden. Die damit mögliche dreidimensionale Strukturierung der Halbleitergebiete ermöglicht einen hohen Grad an Designfreiheit.
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PVA Mecklenburg-Vorpommern AG
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Moritz v. Grotthuss, Dr. Rüdiger Werp
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