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Bipolartransistor II

21.04.2010
Gegenstand der Schutzrechte ist ein Verfahren zur Herstellung eines Idiumphosphid-basierten Heterostruktur-Bipolartransistors auf der Grundlage von III/V-Halbleitern. Die Erfindung beinhaltet, dass beim Herstellungsprozess von Bipolartransistoren später wegzuätzende Bereiche des III/V-Halbleitermaterials durch Ionenimplantation gezielt geschädigt und anschließend durch nasschemisches Ätzen entfernt werden. Die damit mögliche dreidimensionale Strukturierung der Halbleitergebiete ermöglicht einen hohen Grad an Designfreiheit.

Weitere Informationen: PDF

PVA Mecklenburg-Vorpommern AG
Tel.: +49 (0)381/49 74 74 0

Ansprechpartner
Moritz v. Grotthuss, Dr. Rüdiger Werp

info@technologieallianz.de | TechnologieAllianz e.V.
Weitere Informationen:
http://www.technologieallianz.de/angebote.php?sort=sag&id=2014&lang=de
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