Abkommen zur gemeinsamen Entwicklung von CellularRAM unterzeichnet

Cypress Abkommen mit Infineon und Micron zur gemeinsamen Entwicklung von CellularRAM

Neue PSRAM-Generation mit sehr geringer Leistungsaufnahme für 2.5G- und 3G-Mobiltelefone

San Jose (Kalifornien, USA), 16. September 2002 – Cypress Semiconductor hat mit Infineon Technologies und Micron Technology ein Abkommen unterzeichnet, um mit beiden Unternehmen bei der Entwicklung von Spezifikationen für die CellularRAM-Speicher zusammenzuarbeiten. Bei diesen Speicherbausteinen handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

Das Cellular-RAM ist speziell für die wachsenden Anforderungen an höhere Speicherkapazität und Bandbreite zukünftiger 2.5G- sowie 3G- Mobiltelefone ausgelegt und bietet ein besseres Kosten/Bit-Verhältnis im Vergleich zu existierenden Lösungen. Dieser neue Typus eines Pseudo-SRAMs ist anschlusskompatibel zu SRAMs, erlaubt den Betrieb ohne externen Refresh und hat eine sehr geringe Leistungsaufnahme. Damit eignet sich CellularRAM hervorragend als Ersatz von asynchronen SRAMs mit geringer Leistungsaufnahme, die derzeit in Mobiltelefonen eingesetzt werden.

Zielsetzung der Entwicklungskooperation ist es, Anwendern anschluss- und funktionskompatible Produkte von mehreren Anbietern zu liefern, die auf einer gemeinsam definierten CellularRAM Spezifikation basieren. Jedes Unternehmen wird diese Produkte mit seinen eigenen Design- und Prozess-Technologien entwickeln und fertigen.

„Cypress ist sehr erfreut über die Zusammenarbeit mit Infineon Technologies sowie Micron Technology, zwei führenden Anbietern von Speicherprodukten, und die gemeinsame Entwicklung der CellularRAM-Spezifikationen“, sagte Mario Martinez, Strategic Director der Memory-Product-Division von Cypress. „CellularRAM bietet Entwicklern von Mobiltelefonen alle Vorteile einer DRAM-Zelle wie höhere Kosteneffizienz, Speicherdichte und niedrigere Leistungsaufnahme, in Verbindung mit einer standardmäßigen SRAM-Schnittstelle.“

„CellularRAM bietet Designern eine kosteneffiziente Lösung für die Entwicklung von leistungsfähigen Speichern für die nächste Generation der Mobiltelefone“, sagte Mario Fazio, Director Strategic Marketing für Wireless-Produkte bei Micron. „Mit seiner großen Präsenz im Speichermarkt für Mobiltelefone wird Cypress die gemeinsame Entwicklung und Vermarktung von CellularRAM noch weiter vorantreiben.“

„Wir freuen uns sehr, dass Cypress an unserem gemeinsamen Entwicklungsabkommen teilnimmt,“ sagte Dr. Ernst Strasser, Marketingleiter für Graphics- und Speciality-DRAMs von Infineon. „Damit steht der Industrie nun eine dritte Bezugsquelle zur Verfügung. Wir sind überzeugt, dass diese Kooperation vorteilhaft ist für alle Mobiltelefonanwender der nächsten Generation, die zukunftsweisende Speicherlösungen suchen für die kommenden 2.5G- und 3G-Gerätegenerationen.“

Das CellularRAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor und bietet aufgrund der DRAM-Technologie sowie der reduzierten Chipfläche der DRAM-Zelle signifikante Vorteile im Gegensatz zu den sonst üblichen SRAMs und SRAM-Zellen mit sechs Transistoren (6T). Die neuen Produkte arbeiten mit Taktraten bis zu 108 MHz, haben eine Latenzzeit von 60 ns und bieten eine Bandbreite von 216 MBit/s (1,6 GBit/s). Zudem unterstützen CellularRAM-Speicher Intel®-W18- und Micron-Flash kompatible Burst-Protokolle mit verschiedenen I/O Spannungsoptionen.

Infineon und Micron wollen verschiedene CellularRAM-Bausteine im Laufe der nächsten 12 Monate einführen. Als erster Baustein wird ein 32-Mbit-Speicher in der Organisation 2 M x 16 gegen Ende 2002 verfügbar sein. Eine 16-Mbit- und eine 64-Mbit-Version, organisiert zu 1 M x 16 bzw. 4 M x 16, werden kurz darauf folgen. Die beteiligten Unternehmen arbeiten gemeinsam an der Definition der nächsten Generation der CellularRAM-Produktfamilie, einem 128-Mbit-Baustein. Erste Muster dieses Speichers sind für die zweite Hälfte 2003 geplant.