Hier wird "mechanischem Stress" der Kampf angesagt
TU Chemnitz geht Probleme bei der Entwicklung von Halbleiter-Leistungsbauelementen an
In der Leistungselektronik geht es heute nicht nur um die Steuerung „starker“ Maschinen. Hier werden auch neuartige Halbleiter-Leistungsbauelemente entwickelt. Und dabei versuchen die Forscher sowohl den Energieverlust in den Elementen zu reduzieren als auch die Steuerung hoher Leistung auf kleinen Chipflächen zu ermöglichen. Dabei wird es heiß: Bei den verwendeten Materialen treten immer wieder thermo-mechanischen Probleme auf – die Experten sprechen vom „mechanischen Stress“. An der Lösung dieser Probleme wird deshalb intensiv gearbeitet. Prof. Dr. Josef Lutz, neuberufener Professors für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit der TU Chemnitz, sagt nun an der TU Chemnitz dem „mechanischen Stress“ in diesen Bauelementen den Kampf an. Dabei stützt er sich auf seine 17-jährige Industrie-Erfahrung im Design und Entwicklung von Halbleiter-Leistungsbauelementen.
Den Schwerpunkt legt Prof. Lutz auf die Zuverlässigkeit. Gemeint ist damit die Vermeidung von Störungen und Ausfällen und die Erhöhung der zu erwartende Lebensdauer des Bauelements. „Die Schwachstelle in den Halbleiterchips selbst ist die Halbleiter-Oberfläche“, so der Professor. Dazu sollen neue Schutz- und Abschluss-Schichten aus Kohlenstoff in diamantähnlicher Modifikation erprobt werden – eine neue Technologie in der Halbleitertechnik. Diese diamantähnlichen Schichten versprechen eine wesentliche Steigerung der Belastbarkeit von Bauelementen. In Zusammenarbeit mit dem Chemnitzer Zentrum für Mikrotechnologien soll die Universität ein Kompetenzzentrum für diese neue Technologie werden.
Am 18. Oktober 2001 hält Prof. Dr. Josef Lutz an der TU Chemnitz seine Antrittsvorlesung zum Thema „Bedeutung und Entwicklungstendenzen der Leistungselektronik“. Der Vortrag des neuberufenen Professors für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit beginnt um 15.30 Uhr im Hörsaalgebäude, Reichenhainer Straße 70, Raum N002.
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