Gunn-Diode auf GaN-Substrat zur Erzeugung von Hochfrequenzsignal mit hoher Leistung
Die Erfindung betrifft GaN-Gunndioden, die auf GaN-Substrat hergestellt wurden und zur Erzeugung von Millimeterwellen mit sehr hohen Leistungen geeignet sind. Aufgrund einer besonderen Ausgestaltung und Anordnung der Kontaktierung konnte mit diesen neuen Bauelementen eine stabile Strom-Spannungskennlinie mit einem gut ausgeprägten negativen differentiellen Widerstand erzeugt werden. Dabei können deutlich größere Feldstärken als die Schwellenfeldstärke verwendet werden.
Weitere Informationen: PDF
TransMIT Gesellschaft für Technologietransfer mbH
Tel.: +49 (0)641/943 64-12
Ansprechpartner
Dr. Peter Stumpf
Media Contact
Alle Nachrichten aus der Kategorie: Technologieangebote
Neueste Beiträge
Wolken bedecken die Nachtseite des heißen Exoplaneten WASP-43b
Ein Forschungsteam, darunter Forschende des MPIA, hat mit Hilfe des Weltraumteleskops James Webb eine Temperaturkarte des heißen Gasriesen-Exoplaneten WASP-43b erstellt. Der nahe gelegene Mutterstern beleuchtet ständig eine Hälfte des Planeten…
Neuer Regulator des Essverhaltens identifiziert
Möglicher Ansatz zur Behandlung von Übergewicht… Die rapide ansteigende Zahl von Personen mit Übergewicht oder Adipositas stellt weltweit ein gravierendes medizinisches Problem dar. Neben dem sich verändernden Lebensstil der Menschen…
Maschinelles Lernen optimiert Experimente mit dem Hochleistungslaser
Ein Team von internationalen Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern des Lawrence Livermore National Laboratory (LLNL), des Fraunhofer-Instituts für Lasertechnik ILT und der Extreme Light Infrastructure (ELI) hat gemeinsam ein Experiment zur Optimierung…
