Wenn Gallium-Nitrid auf Silizium wächst – Gaede-Preis für Physiker der Universität Magdeburg

Er erhält die Auszeichnung für seine herausragenden Leistungen bei der Entwicklung von rissfreien Gallium-Nitrid-Schichten auf Silizium und den darauf basierenden Fortschritten, insbesondere für die Entwicklung lichtemittierender Dioden.

Das Hauptproblem beim Wachstum von Gallium-Nitrid-Schichten auf Silizium liegt darin, dass sie nach dem Wachstum, das bei über 1.000 °C stattfindet, beim Abkühlen bereits bei weniger als einem Mikrometer Dicke reißen. Armin Dadgar gelang es, zwei unterschiedliche Verfahren zur Herstellung rissfreier Gallium-Nitrid-Schichten auf Silizium von über einem Mikrometer Stärke zu entwickeln.

Das Potenzial dieser universell einsetzbaren Methode wird vor allem in der preiswerteren und verbesserten Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen mit erhöhter Lebensdauer gesehen und erbringt somit einen großen ökonomischen Nutzen. Dr. Dadgar war an der Entwicklung von Prototypen besonders hell leuchtender blauer Leuchtdioden und Transistoren auf Silizium beteiligt, die Anwendung z. B. im Mobiltelefon, in Leuchtdiodenanzeigen oder im CD-Player finden.

Die Marktgängigkeit seiner Forschungsergebnisse hat dazu geführt, dass eine Firmenausgründung aus der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg erfolgte und er auf über 30 Patente bzw. Patentanträge verweisen kann. Der Preisträger, der in der Abteilung Halbleiterepitaxie 2005 habilitierte, verfügt über eine hervorragende Publikationsliste in einschlägigen nationalen und internationalen Wissenschaftsjournalen. Armin Dadgar wurde für seine herausragenden Forschungsleistungen bereits mit dem Forschungspreis für angewandte Forschung des Landes Sachsen-Anhalt und dem Forschungspreis der IHK Magdeburg ausgezeichnet.

Die Gaede-Stiftung verleiht alljährlich gemeinsam mit der Deutschen Vakuum-Gesellschaft (DVG) den Gaede-Preis für hervorragende Arbeiten jüngerer Wissenschaftler aus einem der Bereiche, die von der DVG betreut werden. Die Arbeiten sollen entweder aus der Grundlagenforschung oder aus wichtigen Anwendungsgebieten stammen.