HIVP(High Voltage-High-Power-COMS)Leistungsverstärker in CMOS
Leistungsverstärker können aufgrund kleiner Durchbruchspannungen nicht in preiswerter MOS-Technologie realisiert werden. Mittels Kaskadieren kann prinzipiell die Spannung auf mehrere Transistoren verteilt werden. Allerdings gibt es Probleme bei der gleichmäßigen Verteilung auf alle Transistoren. Durch die Begrenzung der Durchbruchspannung zwischen Gate und Drain können jetzt Leistungsverstärker komplett in MOS gefertigt werden.
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Professor Dr. Arno Basedow
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