Forum für Wissenschaft, Industrie und Wirtschaft

Hauptsponsoren:     3M 
Datenbankrecherche:

 

Mit neuer Technologie für zehnfach höhere Leistungen bei zukünftigen Transistoren

11.09.2002

AMD (NYSE: AMD) gab heute bekannt, dass das Unternehmen den bisher kleinsten Double Gate Transistor mit Hilfe von Standardtechnologien hergestellt hat. Diese Transistoren, die zehn Nanometer oder ein zehn Milliardstel eines Meters (Gate) bemessen, sind sechsmal kleiner als der kleinste derzeit produzierte Transistor. Dadurch können auf einer Chipfläche, auf der heute 100 Millionen Transistoren Platz finden, in Zukunft eine Milliarde Transistoren untergebracht werden. Dies führt zu einer erheblich höheren Rechenleistung. Transistoren sind winzige Schalter, die bei den gegenwärtigen Mikroprozessoren die integrierten Schaltkreise bilden. Die Struktur von Double Gate Transistoren verdoppelt effektiv den Strom, der durch einen Transistor geleitet werden kann. Das Fin Field Effect Transistor Design (FinFET) basiert auf einer dünnen, vertikalen "Siliziumlamelle", die den Leckstrom minimiert, solange der Transistor im AUS-Stadium ist. Ein solches Design ermöglicht, neue Chips mit mehr Leistung und immer kleineren Maßen herzustellen. "Die Transistorentwicklung ist entscheidend, wenn es darum geht, immer leistungsfähigere Produkte für unsere Kunden zu entwickeln", so Craig Sander, Vice President Technology Development von AMD. "Die gesamte Halbleiterindustrie arbeitet mit Hochdruck daran, den wachsenden Herausforderungen gerecht zu werden, die bei der Entwicklung neuer Transistoren entstehen, die kleiner und leistungsstärker sind und zugleich nur eine geringe Abweichung von den heutigen Standardherstellungsverfahren aufweisen dürfen. Der FinFET Transistor beweist, dass wir weiterhin leistungsstarke Produkte liefern können, ohne die Basistechnologie unserer Industrie verlassen zu müssen."

Der zehn Nanometer Complementary Metal Oxide Semiconductor Fin Field Effect Transistor (CMOS FinFET) von AMD ist das Ergebnis der gemeinsamen Forschung von AMD und der University of California in Berkeley mit Unterstützung der Semiconductor Research Corporation (SRC). Die Bausteine wurden im Submicron Development Center von AMD produziert. "Die überlegene Kontrolle des Leckstromes machen die FinFET Transistoren zu einem attraktiven Kandidaten für zukünftige Nano CMOS Generationen, die im kommenden Jahrzehnt in die Produktion gehen sollen", so Dr. Tsu-Jae King, Associate Professor of Electrical Engineering and Computer Sciences von der U.C. Berkeley. "FinFET hat ein enormes Potenzial, die Skalierbarkeit der CMOS Technologie zu erweitern. "AMD und die University of California werden ein Dokument mit dem Titel "FinFET Scaling to 10 nm Gate Length" beim International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco vom 9. bis zum 11. Dezember 2002 vorstellen.

... mehr zu:
»CMOS »FinFET »Gate »Leckstrom »Transistor

Jan Gütter | ots
Weitere Informationen:
http:// www.amd.de

Weitere Berichte zu: CMOS FinFET Gate Leckstrom Transistor

Weitere Nachrichten aus der Kategorie Informationstechnologie:

nachricht Original bleibt Original - Neues Produktschutzverfahren für KFZ-Kennzeichenschilder
19.01.2018 | Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS

nachricht Fliegen wird smarter – Kommunikationssystem LYRA im Lufthansa FlyingLab
18.01.2018 | Deutsches Forschungszentrum für Künstliche Intelligenz GmbH, DFKI

Alle Nachrichten aus der Kategorie: Informationstechnologie >>>

Die aktuellsten Pressemeldungen zum Suchbegriff Innovation >>>

Die letzten 5 Focus-News des innovations-reports im Überblick:

Im Focus: Maschinelles Lernen im Quantenlabor

Auf dem Weg zum intelligenten Labor präsentieren Physiker der Universitäten Innsbruck und Wien ein lernfähiges Programm, das eigenständig Quantenexperimente entwirft. In ersten Versuchen hat das System selbständig experimentelle Techniken (wieder)entdeckt, die heute in modernen quantenoptischen Labors Standard sind. Dies zeigt, dass Maschinen in Zukunft auch eine kreativ unterstützende Rolle in der Forschung einnehmen könnten.

In unseren Taschen stecken Smartphones, auf den Straßen fahren intelligente Autos, Experimente im Forschungslabor aber werden immer noch ausschließlich von...

Im Focus: Artificial agent designs quantum experiments

On the way to an intelligent laboratory, physicists from Innsbruck and Vienna present an artificial agent that autonomously designs quantum experiments. In initial experiments, the system has independently (re)discovered experimental techniques that are nowadays standard in modern quantum optical laboratories. This shows how machines could play a more creative role in research in the future.

We carry smartphones in our pockets, the streets are dotted with semi-autonomous cars, but in the research laboratory experiments are still being designed by...

Im Focus: Fliegen wird smarter – Kommunikationssystem LYRA im Lufthansa FlyingLab

• Prototypen-Test im Lufthansa FlyingLab
• LYRA Connect ist eine von drei ausgewählten Innovationen
• Bessere Kommunikation zwischen Kabinencrew und Passagieren

Die Zukunft des Fliegens beginnt jetzt: Mehrere Monate haben die Finalisten des Mode- und Technologiewettbewerbs „Telekom Fashion Fusion & Lufthansa FlyingLab“...

Im Focus: Ein Atom dünn: Physiker messen erstmals mechanische Eigenschaften zweidimensionaler Materialien

Die dünnsten heute herstellbaren Materialien haben eine Dicke von einem Atom. Sie zeigen völlig neue Eigenschaften und sind zweidimensional – bisher bekannte Materialien sind dreidimensional aufgebaut. Um sie herstellen und handhaben zu können, liegen sie bislang als Film auf dreidimensionalen Materialien auf. Erstmals ist es Physikern der Universität des Saarlandes um Uwe Hartmann jetzt mit Forschern vom Leibniz-Institut für Neue Materialien gelungen, die mechanischen Eigenschaften von freitragenden Membranen atomar dünner Materialien zu charakterisieren. Die Messungen erfolgten mit dem Rastertunnelmikroskop an Graphen. Ihre Ergebnisse veröffentlichen die Forscher im Fachmagazin Nanoscale.

Zweidimensionale Materialien sind erst seit wenigen Jahren bekannt. Die Wissenschaftler André Geim und Konstantin Novoselov erhielten im Jahr 2010 den...

Im Focus: Forscher entschlüsseln zentrales Reaktionsprinzip von Metalloenzymen

Sogenannte vorverspannte Zustände beschleunigen auch photochemische Reaktionen

Was ermöglicht den schnellen Transfer von Elektronen, beispielsweise in der Photosynthese? Ein interdisziplinäres Forscherteam hat die Funktionsweise wichtiger...

Alle Focus-News des Innovations-reports >>>

Anzeige

Anzeige

IHR
JOB & KARRIERE
SERVICE
im innovations-report
in Kooperation mit academics
Veranstaltungen

Kongress Meditation und Wissenschaft

19.01.2018 | Veranstaltungen

LED Produktentwicklung – Leuchten mit aktuellem Wissen

18.01.2018 | Veranstaltungen

6. Technologie- und Anwendungsdialog am 18. Januar 2018 an der TH Wildau: „Intelligente Logistik“

18.01.2018 | Veranstaltungen

 
VideoLinks
B2B-VideoLinks
Weitere VideoLinks >>>
Aktuelle Beiträge

Rittal vereinbart mit dem Betriebsrat von RWG Sozialplan - Zukunftsorientierter Dialog führt zur Einigkeit

19.01.2018 | Unternehmensmeldung

Open Science auf offener See

19.01.2018 | Geowissenschaften

Original bleibt Original - Neues Produktschutzverfahren für KFZ-Kennzeichenschilder

19.01.2018 | Informationstechnologie