Konkurrenz für Graphen: Halbleitende Schichtmaterialien aus Phosphor und Arsen

Schwarzes Arsen-Phosphor bildet halbleitende atomar dünne Schichten Foto: Andreas Battenberg / TUM

Seit vielen Jahrzehnten ist Silizium die Basis der modernen Elektronik. Bisher konnte die Silizium-Technik für immer kleinere Geräte immer kleinere Transistoren herstellen, doch die Größe von Silizium-Transistoren stößt langsam an ihre physikalische Grenze.

Silizium ist darüber hinaus hart und spröde, doch die Konsumenten hätten gerne flexible Geräte, Geräte, die sich in Kleidung einarbeiten lassen und vieles mehr. All dies hat einen Wettlauf um neue Materialien ausgelöst, die Silizium eines Tages ersetzen könnten.

Ein solches Material könnte Arsen enthaltender schwarzer Phosphor sein. Wie das Graphen, das aus einer einzigen Lage von Kohlenstoffatomen besteht, bildet es dünnste Schichten. Die Bandbreite seiner Anwendungen reicht von Transitoren, über Sensoren bis hin zu mechanisch-flexiblen Halbleiter-Bauteilen. Anders als beim Graphen, dessen elektronisches Verhalten dem von Metallen ähnelt, verhält es sich wie ein Halbleiter.

Phosphoren statt Graphen

In einer Kooperation der Technischen Universität München und der Universität Regensburg auf deutscher Seite sowie den amerikanischen Universitäten University of Southern California (USC) und Yale wurden nun erstmals Feldeffekt-Transistoren aus Arsen enthaltendem schwarzem Phosphor hergestellt. Die Verbindungen synthetisierte Marianne Köpf im Labor des Fachgebiets für Synthese und Charakterisierung innovativer Materialien an der TU München.

Die an der TU München entwickelte neue Methode ermöglicht es, schwarzes Arsen-Phosphor ohne hohen Druck zu synthetisieren. Das erfordert weniger Energie und ist billiger. Über den Arsengehalt kann die Lücke zwischen Valenz- und Leitungsband präzise eingestellt werden. „Das erlaubt es uns, Materialien mit bisher unerreichbaren elektronischen und optischen Eigenschaften in einem Energiefenster herzustellen, dass bisher nicht zugänglich war“, sagt Professor Tom Nilges, Leiter des Fachgebiets für Synthese und Charakterisierung innovativer Materialien.

Detektoren für Infrarot

Bei einem Arsengehalt von 83 Prozent hat das Material eine Bandlücke von nur noch 0,15 Elektronenvolt. Aus einem solchen Material können Sensoren aufgebaut werden, die Wellenlängen im langwelligen Infrarot detektieren. In diesem Bereich arbeiten beispielsweise LiDAR-Sensoren (Light Detection and Ranging). Sie werden unter anderem in Autos als Abstandssensoren eingesetzt. Eine andere Anwendung ist die Messung von Staubteilchen und Spurengasen in der Umweltmesstechnik.

Ein weiterer interessanter Aspekt dieser neuen zweidimensionalen Halbleiter sind ihre anisotropen elektronischen und optischen Eigenschaften. Denn die Materialien zeigen unterschiedliches Verhalten entlang der x- und y-Richtung in der gleichen Ebene. Das Material kann in Schichten abgelöst werden. Die dünnsten bisher erreichten Schichten waren lediglich zwei Atomlagen dick.

Diese Arbeit wurde unterstützt vom Office of Naval Research (ONR), vom Air Force Office of Scientific Research (AFOSR), dem Center of Excellence for Nanotechnologies (CEGN) der King Abdul-Aziz City for Science and Technology (KACST), der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) sowie der TUM Graduate School.

Publikation:

Black Arsenic–Phosphorus: Layered Anisotropic Infrared Semiconductors with Highly Tunable Compositions and Properties
Bilu Liu, Marianne Köpf, Ahmad N. Abbas, Xiaomu Wang, Qiushi Guo, Yichen Jia, Fengnian Xia, Richard Weihrich, Frederik Bachhuber, Florian Pielnhofer, Han Wang, Rohan Dhall, Stephen B. Cronin, Mingyuan Ge, Xin Fang, Tom Nilges, Chongwu Zhou
Adv. Mater., 2015, Early View – DOI: 10.1002/adma.201501758

Kontakt:

Prof. Dr. Tom Nilges
Technische Universität München
Synthese und Charakterisierung innovativer Materialien
Lichtenbergstr. 4, 85748 Garching, Germany
Tel.: +49 89 289 13110 – E-Mail: tom.nilges@lrz.tum.de

http://www.acinnomat.ch.tum.de Website der Arbeitsgruppe von Prof. Nilges

Media Contact

Dr. Ulrich Marsch Technische Universität München

Weitere Informationen:

http://www.tum.de

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