Organische Materialien für elektronische Bauelemente

Neues Polymermaterial für innovative DRAM-Integrationskonzepte

Der Halbleiter-Hersteller Infineon Technologies hat auf der IEDM-Konferenz (International Electronic Device Manufactures) in Washington signifikante Fortschritte bei Leistung, Zuverlässigkeit und Temperaturverhalten von Transistoren, Schaltungen und Speichern auf der Basis organischer Materialien präsentiert.

Während die Produktion integrierter Schaltungen mit Silizium Wochen in Anspruch nimmt und eine große Anzahl sequenzieller Prozesse mit teuren Einrichtungen erfordert, lässt sich organische Elektronik zu erheblich niedrigeren Kosten fertigen. Organische Elektronik zielt deshalb auf besonders kostenintensive, relativ einfache Applikationen.

Eines der größten Probleme war aber bisher die hohe Betriebsspannung, die häufig über 20 Volt lag. Die von den Wissenschaftlern realisierten Dünnschichttransistoren (TFTs) bestehen aus organischen Halbleitermolekülen als aktiver Schicht mit hoher Ladungsbeweglichkeit und einem nur 2,5 nm dünnen SAM (Self-Assembling-Monolayer). Mit diesem Durchbruch konnten Transistoren hergestellt werden, die auch bei Spannungen von nur noch einem Volt arbeiten.

„Die neuesten Forschungsergebnisse bei Infineon zeigen, dass ICs (Integrierte Schaltkreise) auf organischer Basis bei Massenprodukten und kostenkritischen Anwendungsbereichen eine potenzielle Ergänzung zu Silizium-Chips darstellen können“, erklärt Infineon-Senior-Vice-President Christoph Kutter.