Siliziumkarbid auf Silizium
Die vorgestellte Erfindung ermöglicht die integration von Siliziumkarbid (SiC) Bauteilen und Silizium-Elektronik auf einem Chip. Sie beschreibt eine Methode, um genau definierte SiC Oberflächen auf Silizium Wafern zu erzeugen, die keiner der Nachteile zeigen, die man sonst mit der Epitaxie von SiC auf Silizium verbindet (wie Warpage, das unkontrollierte Wachstum unterschiedlicher Polytypen oder Hohlräume an den Grenzflächen).
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