Plasmaätzprozess für Galliumnitrid
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum
Ätzen von Nanosäulen aus einem Galliumnitrid-Substrat, bei dem ein Ätzgas verwendet wird, das Wasserstoff und Schwefelhexafluorid enthält. Ein solcher Prozess kann zum Herstellen von Leuchtdioden oder anderen optischen Bauteilen benutzt werden.
Weitere Informationen: PDF
EZN Erfinderzentrum Norddeutschland GmbH
Tel.: +49 (0)511/85 03 08 – 0
Ansprechpartner
Dipl.-Ing. Andreas Deutsch
Media Contact
Alle Nachrichten aus der Kategorie: Technologieangebote
Neueste Beiträge
Wie die Galvanotechnik durch Digitalisierung effizient wird
SurfaceTechnology GERMANY… Digitalisierung und Hartverchromung aus Chrom(III)-Elektrolyten: Das sind die beiden großen Themen, mit denen sich Forscherinnen und Forscher von der Abteilung Galvanotechnik am Fraunhofer IPA derzeit beschäftigen. Ihre Erkenntnisse…
Ersatz für Tierversuche – jetzt ganz ohne Tierleid
Erstes Gewebe-Modell der Leber völlig ohne Materialien tierischer Herkunft hergestellt. Wissenschaftler*innen der TU Berlin haben mit Hilfe von 3D-Biodruck erstmals ein Modell der Leber aus menschlichen Zellen hergestellt, ohne dabei…
Neue Wege zur mentalen Gesundheit
Magnetspule am Kopf sorgt für antidepressive Effekte… In der Klinik und Poliklinik für Psychiatrie und Psychotherapie am Universitätsklinikum Bonn (UKB) wird derzeit eine Studie zur Erforschung der antidepressiven Wirkung einer…
