Galliumnitrit-Halbleiter
Das Schutzrecht beschreibt nun ein Verfahren zum Züchten von Galliumnitrid-Halbleitermaterial auf einem Saphir-Substrat. Das Substrat kann zur Herstellung von elektronischen Bauelementen oder als homoepitaktisches Substrat (d.h., es kommt zur Mineralienbildung ohne Fremdeinwirkung, dem sog. „Impfen“ mit Kristallisationskernen) für das Wachstum von weiteren Kristallschichten mit gleicher kristallographischer Orientierung genutzt werden.
Konkreter Gegenstand des Schutzrechts ist ein Verfahren zum Wachsen bzw. Züchten von GaN auf einem Saphirsubstrat. Dieses Verfahren beinhaltet mehrere Schritte zum Aufwachsen eines einkristallinen GaN: (1) Galliumvorrat wird aus einem Reaktor unter Stickstoff (Schutzgasatmosphäre) und Ammoniak und Salzsäuregas bei einem wesentlich konstanten Partialdruckverhältnis von 30/40 und einer SubstratTemperatur von 550°C bis 650°C in einer Prozesszeit von 5 bis 15 Minuten auf dem Saphirsubstrat aufgewachsen, (2) Aufrechterhalten der Schutzgasatmosphäre und unter Anwesenheit von Ammoniak Erhöhung der Substarttemperatur auf 1000°C bis 1050°C, (3) konstante Prozessbedingungen für weitere 20 bis 30 Minuten, (4) Aufrechterhalten der Prozessbedingungen und erneuter Zufluss an Salzsäure.
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