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Verbundprojekt "Extreme Ultraviolett-Lithografie"

24.09.2001


Das BMBF fördert mit rund 100 Millionen Mark ein Verbundprojekt "Extreme Ultraviolett-Lithografie" (EUVL). Unternehmen aus den Niederlanden, Belgien, Frankreich und Deutschland kooperieren dabei in einer EUREKA-Initiative. Das Ziel dieser Forschung sind verbesserte Rechen- und Speicherkapazitäten von Prozessoren und Bauelementen für neue Computergenerationen. Die Förderung ist auf fünf Jahre angelegt. Durch das grenzüberschreitende Projekt soll die Position der europäischen Zulieferer der Halbleiterindustrie gestärkt werden.

Die Leistungsfähigkeit der Halbleiter hängt vor allem von der Erzeugung von immer kleineren Schaltungsstrukturen ab. Dadurch können die Kapazitäten von Prozessoren und Bauelementen deutlich erhöht werden. Lithographie-Verfahren bilden den Schlüssel hierfür. Mit ihnen werden bei der Halbleiterfertigung die vorgegebenen Strukturen durch Belichtungsverfahren auf den Halbleiterchip übertragen. Ausschlaggebend ist dabei die verwendete Strahlquelle. Mit einer Strahlquelle im Bereich der "Extremen Ultraviolett-Lithografie" (EUVL) soll in Zukunft die "Next Generation Lithography" (NGL) mit deutlich kleineren Schaltungsstrukturen ermöglicht werden.

Um diesen EUVL-Bereich tatsächlich nutzbar zu machen, müssen völlig neue Technologien erforscht werden. Zum Beispiel existieren keine optischen Materialien, die den Anforderungen entsprechen. Deshalb sind neue Tools zu entwickeln, bei denen Spiegel anstelle von Linsen eingesetzt werden. Ebenfalls erforderlich ist die Erarbeitung von neuen Lösungen vor allem auf den Gebieten Strahlquellen, Optik, Masken, Maskenträger, Resists und dem Lithographieprozess.

Von deutscher Seite werden an dem vom BMBF geförderten Verbundprojekt sieben große Unternehmen, drei kleine und mittlere Unternehmen (KMU) und elf Forschungsinstitute mitarbeiten.

Dr. Gerd Bachmann | Veröffentlichungen

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