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Elpida entwickelt 0,10 Mikron Ein-Gigabit-DDR2-Speicher

10.10.2003


Chip ab Anfang 2004 am Massenmarkt erhältlich



Der japanische DRAM-Hersteller Elpida Memory hat Ein-Gigabit-DDR2-SDRAM-Komponenten entwickelt, die 533 Megabits pro Sekunde erreichen und in einem 0,10 Mikron-Prozess hergestellt werden. Wie das Joint-Venture von NEC und Hitachi http://www.hitachi.com heute, Donnerstag, erklärte, handelt es sich dabei um den schnellsten und dichtesten derartigen Speicher, der für Server-Applikationen momentan erhältlich ist.



"Mit einem Gigabit haben wir den nächsten großen Meilenstein bei der DRAM-Dichte erreicht, zudem ist DDR2 die fortschrittlichste DRAM-Architektur, die es gibt", erklärte Elpida-CEO Yukio Sakamoto. "Und wir haben bereits erfolgreich erstes Silizium in dem 0,10 Mikron-Prozess produziert." Durch das neue Verfahren sei es sogar möglich, auf den selben Chips DDR- und DDR2-Speicher zu produzieren, wodurch man auf Änderungen der Nachfrage schnell reagieren könne.

Elpidas Ein-Gigabit-DDR2-SDRAM-Komponenten sollen die Basis für 4 Gigabyte DIMMs für Server und Workstations, 2 Gigabyte unbuffered DIMMs für Desktops und 2 Gigabyte small-outline DIMMs für Notebooks bilden. Erste Muster will Elpida voraussichtlich im November ausliefern, Anfang 2004 sollen die Chips dann auch am Massenmarkt erhältlich sein.

Stefan Theißbacher | pressetext.austria
Weitere Informationen:
http://www.elpida.com
http://www.nec.com
http://www.elpida.com/en/news/2003/10-09.html

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