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Nano-Röhren übertreffen Silizium-Transistoren

21.05.2002


Big Blue stellt leistungsfähigsten Nano-Transistor vor

IBM hat nach eigenen Angaben die bisher leistungsfähigsten Transistoren aus Kohlenstoff-Nano-Röhren entwickelt. Obwohl die Transistoren nicht optimiert waren, erreichten sie eine höhere Leistung als die jüngsten Prototypen von Silizium-Transistoren.

"Mit dem Beweis, dass Kohlenstoff-Nano-Röhren eine höhere Leistung ermöglichen als Silizium-Transistoren machen wir den Weg frei für weitere Forschungen", so Phaedon Avouris, Manager Nanoscale Science bei IBM Resaerch. "Kohlenstoff-Nano-Röhren sind bereits jetzt die Top-Kandidaten für den Ersatz von Silizium, wenn die gegenwärtige Chiptechnologie in zehn bis 15 Jahren an ihre physikalischen Grenzen stößt."

Die Transistoren erreichten die doppelte Leitfähigkeit gegenüber den neuesten Silizium-Halbleitern. Eine höhere Leitfähigkeit ermöglicht gleichzeitig auch ein größere Taktfrequenz für die integrierten Schaltkreise. Für ihre Nano-Transistoren schufen die IBM-Wissenschafter einen "Carbon Nanotube Field Effect Transistoren" (CNFETs) , deren Struktur heutigen Metall-Oxid-Transistoren ähnelt. Dazu brachten sie eine "Gate"-Elektrode über der Nano-Röhre an, die vom Leiter durch eine dünne Isolierschicht getrennt ist. Damit konnte das IBM-Team zwei Typen von Transistoren erzeugen.

Dominik Schebach | pte.monitor
Weitere Informationen:
http://www.research.ibm.com/resources/news/20020520_nanotubes.shtml

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