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Trends in der Materialforschung für die Mikro- und Optoelektronik

16.03.2011
Der Leibniz-Transferverbund Mikroelektronik organisiert eine Fachtagung, auf der aktuelle Ergebnisse aus der Materialforschung für die Mikro- und Optoelektronik präsentiert werden. Termin ist der 11. April 2011 in Berlin-Adlershof.

Als Halbleitermaterial für kommerzielle Einsatzgebiete steht Silizium weiterhin unbestritten im Mittelpunkt. Seine Funktionalität lässt sich unter anderem durch Kombination mit anderen Materialien, wie etwa Germanium und leitfähigen durchsichtigen Oxiden, deutlich steigern.

Aktuelle Ergebnisse aus der Materialforschung für die Mikro- und Optoelektronik werden auf einer Fachtagung am 11. April 2011 in Berlin Adlershof vorgestellt, die vom Leibniz-Transferverbund Mikroelektronik organisiert wird. Die Referenten aus verschiedenen Leibniz-Instituten und dem Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf informieren außerdem über neue, verbesserte Technologien bei der Herstellung und Prozessierung von Halbleitermaterialien, beispielweise durch den Einsatz von Polymeren.

Die Tagung ist zeitlich an die „Photovoltaics Thin-Film Week“ gekoppelt, die in diesem Jahr zum dritten Mal stattfindet. Die Brücke zwischen beiden Veranstaltungen schlägt ein Vortrag auf der Materialforschungs-Tagung von Prof. Dr. Peter Rudolph vom Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, der neue Ansätze in der Kristallisation von Silizium für Dickschichtsolarzellen präsentiert.

Terminhinweise:
Fachtagung: Trends in der Materialforschung für die Mikro- und Optoelektronik
Termin: Montag, 11. April 2011 von 10:30 bis 17.00 Uhr
Ort: Einstein-Kabinett, Adlershof con.vent. Rudower Chaussee 17, 12489 Berlin, Deutschland
Kontakt für Rückfragen und Anmeldungen:
Frank Niehardt
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
E-Mail: frank.niehardt@fbh-berlin.de

Josef Zens | idw
Weitere Informationen:
http://www.leibniz-mikroelektronik.de

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