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Resistiver Schaltmechanismus aufgeklärt

19.04.2017

Sie erlauben energiesparendes Schalten innerhalb von Nanosekunden, und die gespeicherten Informationen bleiben auf Dauer erhalten: ReRAM-Speicher gelten als Hoffnungsträger für die Datenspeicher der Zukunft.

Wie ReRAM-Zellen genau funktionieren, ist jedoch bisher nicht vollständig verstanden. Insbesondere die Details der ablaufenden chemischen Reaktionen geben den Forschern Rätsel auf. Das macht die Vorhersage von Schalteigenschaften schwierig – die Speichertechnologie wird deshalb weitgehend nach Erfahrungswerten optimiert. Ein interdisziplinäres Forscherteam aus Jülich, Aachen und Grenoble hat nun mithilfe eines Elektronenmikroskops den Schaltmechanismus entschlüsselt.


Blick ins Photoemissionsmikroskop: Im sogenannten NanoESCA werden resistive Speicherelemente mittels energiegefilteter Photoelektronenemissionsmikroskopie abgebildet. So können die Jülicher Forscher die genaue chemische Zusammensetzung der Probe mit hoher Ortsauflösung messen, um die Funktion der Bauelemente möglichst genau zu verstehen.

Copyright: Forschungszentrum Jülich/Regine Panknin


Im Transmissionselektronenmikroskop wird das Bauelement mit einer beweglichen Mikro-Spitze kontaktiert. Wenn positive Spannungen angelegt werden, wird Sauerstoff (blaue Kugeln) ausgebaut, es bleiben Sauerstoffleerstellen (grüne Kugeln) zurück. Bei negativer Spannung wird der Sauerstoff wieder eingebaut.

Copyright: Forschungszentrum Jülich

Memristive Speicherbauelemente gelten als Logik- und Speicherbauelemente der Zukunft. Sie sind äußerst schnell, energiesparend und nichtflüchtig: Die gespeicherten Informationen bleiben auch bei Stromausfall erhalten. Sie lassen sich außerdem sehr gut bis in den Nanometerbereich verkleinern. Darüber hinaus sind sie wie geschaffen für die Verschaltung zu sogenannten neuromorphen Systemen, die Daten mit Methoden verarbeiten, die denen des Gehirns nachempfunden sind.

Die Funktionsweise memristiver Zellen beruht auf einem ganz besonderen Effekt: Ihr elektrischer Widerstand ist nicht konstant, sondern lässt sich durch das Anlegen einer äußeren Spannung verändern und wieder zurücksetzen. So stellt beispielsweise ein niedriger Widerstand die logische „1“ und ein hoher Widerstand die logische „0“ dar. Mehr Symbole braucht es nicht, um alle Informationen in einem binären Code abzuspeichern.

Noch ist die Technologie allerdings nicht ausgereift genug, um die gängigen Speichertypen zu verdrängen. Die chemischen Reaktionen auf der Nanometerskala, die man als den Ursprung des Schaltens vermutet, sind experimentell nur schwer nachweisbar. Ohne genaue Kenntnis über diese Vorgänge sind die Speicher aber nicht optimal einsetzbar.

Unters Elektronenmikroskop gelegt

Die Forscherinnen und Forscher unter der Leitung von Prof. Rainer Waser haben in den vergangenen Jahren bereits maßgeblich dazu beigetragen, die mikroskopischen Mechanismen des Schaltverhaltens aufzuklären. Im Rahmen des Sonderforschungsbereichs "Nanoswitches" konnten sie nun auf der Nanometerskala die Vorgänge klären, die beim Betrieb der Speicher ablaufen.

"Bisher dachte man, dass während des Schaltens Sauerstoffleerstellen in der Oxidschicht hin- und her wandern", erklärt Prof. Regina Dittmann vom Jülicher Peter Grünberg Institut. "Doch dieser Mechanismus konnte das Schalten in unseren Zellen nicht erklären. Deshalb haben wir die Bauelemente in einem Transmissionselektronenmikroskop untersucht." Dort kann man mithilfe sogenannter hochauflösender Elektronenenergieverlustspektroskopie geringe Änderungen der chemischen und elektronischen Struktur mit atomarer Auflösung betrachten.

"So haben wir entdeckt, dass sich während des Schaltens die gesamte Sauerstoffkonzentration in der sogenannten aktiven Schicht ändert", so Dittmann weiter. „Durch das Anlegen von elektrischer Spannung wird also eine Elektrokatalyse in Gang gesetzt, die für einen ständigen Ein- und Ausbau von Sauerstoff in der Oxidschicht zwischen den beiden Elektroden sorgt – nicht unähnlich den Prozessen in einer Brennstoffzelle. Zusammen mit der lange vermuteten Umverteilung der Leerstellen verändert sich dadurch der Widerstand des Bauelements.“

Durch die neuen Erkenntnisse über die atomaren Vorgänge in den Speicherzellen, so erhoffen sich die Forscher, lassen sich die Eigenschaften zukünftiger Bauelemente gezielter einstellen. So können etwa durch den Ein- und Ausbau von Sauerstoff aus der aktiven Schicht deutlich höhere Unterschiede im elektrischen Widerstand erreicht werden, was die Integration der Zellen in komplexe Chips erleichtert.


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Mit gepulster Laserdeposition werden Schicht für Schicht einkristalline und atomar glatte Oxide für die Verwendung in zukünftigen Datenspeichern hergestellt. Dabei erzeugt der Laserstrahl ein Plasma des gewünschten Materials, das dann auf dem Chip abgeschieden wird. Diese Schichten haben Professor Dittmann und ihr Team jetzt im Elektronenmikroskop untersucht, um den chemischen Vorgängen während des Schaltens auf den Grund zu gehen. (Länge: 11 Sekunden)
Copyright: Forschungszentrum Jülich

Originalpublikation:

David Cooper, Christoph Baeumer, Nicolas Bernier, Astrid Marchewka, Camilla La Torre, Rafal E. Dunin-Borkowski, Stephan Menzel, Rainer Waser & Regina Dittmann "Anomalous Resistance Hysteresis in Oxide ReRAM: Oxygen Evolution and Reincorporation Revealed by in situ TEM", Advanced Materials (2017). DOI: 10.1002/adma.201700212

Weitere Informationen:

Peter Grünberg Institut, Elektronische Materialien (PGI-7)

Ansprechpartner:

Dr. Christoph Bäumer
Peter Grünberg Institut (PGI-7)
Tel. 02461-615339
Email: c.baeumer@fz-juelich.de

Prof. Dr. Regina Dittmann
Peter Grünberg Institut (PGI-7)
Tel. 02461-614760
Email: r.dittmann@fz-juelich.de

Pressekontakt:

Dr. Regine Panknin
Pressereferentin
Tel.: 02461 61-9054
Email: r.panknin@fz-juelich.de

Dr. Regine Panknin | Forschungszentrum Jülich GmbH
Weitere Informationen:
http://www.fz-juelich.de/SharedDocs/Pressemitteilungen/UK/DE/2017/2017-04-19-resistiver-schaltmechanismus-aufgeklaert.html

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