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Schnelles magnetisches Schreiben von Daten

07.09.2017

Magnetische Datenspeicher galten bislang als zu langsam für die Herstellung von Computer-Arbeitsspeichern. ETH-Forscher haben nun ein Verfahren untersucht, mit dem das magnetische Schreiben von Daten deutlich schneller und energiesparender möglich ist.

Seit fast siebzig Jahren werden Magnetbänder und Festplatten in Computern zur Datenspeicherung verwendet. Trotz vieler neuer Technologien, die in der Zwischenzeit entwickelt wurden, bleibt die kontrollierte Magnetisierung eines Datenträgers aufgrund ihrer Langzeitbeständigkeit und geringen Kosten das Mittel der Wahl für die Archivierung von Informationen.


IBM führte mit dem RAMAC 1956 die erste magnetische Festplatte ein. ETH-Forscher haben nun ein neues magnetisches Schreibverfahren getestet, das demnächst auch in den Arbeitsspeichern moderner Computer eingesetzt werden könnte. (Bild: IBM)

Zur Realisierung eines Random Access Memory (RAM) dagegen, wie Computer sie als Arbeitsspeicher zur Verarbeitung von Daten benutzen, galt die Magnettechnologie bislang allerdings als ungeeignet. Das liegt vor allem an ihrer geringen Schreibgeschwindigkeit und dem vergleichsweise hohen Energieverbrauch.

Pietro Gambardella, Professor am Department Materialwissenschaft der ETH Zürich, und seine Mitarbeiter haben nun gemeinsam mit Kollegen am Department Physik sowie am Paul Scherrer Institut (PSI) in Villigen gezeigt, dass magnetische Speicherung mit Hilfe eines neuen Verfahrens trotzdem blitzschnell und energiesparend erfolgen kann.

Magnetisierungs-Umkehr ohne Spulen

In traditionellen Magnetspeicher-Technologien werden mit einer Kobaltlegierung beschichtete Band- oder Platten-Datenträger verwendet. Mittels einer stromdurchflossenen Spule wird ein Magnetfeld erzeugt, das jeweils in einem kleinen Bereich des Datenträgers die Magnetisierungsrichtung ändert.

Der Vorgang ist gemessen an den Geschwindigkeiten moderner Prozessoren sehr langsam, und zudem kommt es durch den elektrischen Widerstand der Spulen zu Energieverlusten. Viel besser wäre es daher, die Magnetisierungsrichtung ohne den Umweg über eine Magnetspule zu ändern.

Bereits 2011 demonstrierten Gambardella und seine Kollegen ein Verfahren, das genau dies schaffte: Elektrischer Strom, der durch einen speziell beschichteten Halbleiterfilm floss, kehrte die Magnetisierung in einem winzigen Metallpunkt um. Dies wird durch einen physikalischen Effekt ermöglicht, der als Spin-Bahn-Drehmoment bezeichnet wird.

Dabei führt das Fliessen eines elektrischen Stroms in einem Leiter zu einer Anhäufung von Elektronen mit entgegengesetzten magnetischen Momenten (Spin) an den beiden Enden des Leiters. Die Spins der Elektronen wiederum schaffen ein Magnetfeld, das zur Ausrichtung der magnetischen Momente der Atome eines in unmittelbarer Nähe befindlichen magnetischen Materials führt. Nun haben die Wissenschaftler in einer neuen Arbeit untersucht, wie dieser Vorgang im Detail funktioniert und wie schnell er ist. Die Ergebnisse wurden kürzlich in der Fachzeitschrift Nature Nanotechnology veröffentlicht.

Räumliche Auflösung mit Röntgenstrahlen

In ihrem Experiment kehrten die Forschenden die Magnetisierung eines Kobalt-Punktes von nur 500 Nanometern Durchmesser mit elektrischen Strompulsen um, die durch einen benachbarten Platindraht flossen. Währenddessen setzten sie den Kobalt-Punkt stark gebündelten Röntgenstrahlen aus, die in der Synchrotron-Lichtquelle Schweiz am PSI erzeugt wurden und die den Punkt nach und nach mit einer räumlichen Auflösung von 25 Nanometern abtasteten. Wie stark der Punkt die Röntgenstrahlen an einer bestimmten Stelle absorbierte, hing davon ab, in welche Richtung das Metall dort magnetisiert war.

«Auf diese Weise erhielten wir ein zweidimensionales Bild der Magnetisierung des Kobalt-Punktes und konnten zusehen, wie der Strompuls diese allmählich veränderte», erklärt Manuel Baumgartner, Erstautor der Studie und Doktorand in Gambardellas Forschungsgruppe.

Die Forscher konnten so feststellen, dass die Umkehrung der Magnetisierung in weniger als einer Nanosekunde erfolgte – deutlich schneller als in anderen in jüngster Zeit erforschten Verfahren. «Zudem können wir aufgrund der Parameter des Experiments vorhersagen, wann und wo die Magnetisierungs-Umkehrung beginnt und wo sie endet», fügt Gambardella hinzu. In anderen Verfahren wird die Umkehrung zwar ebenfalls durch elektrischen Strom angetrieben, ausgelöst aber wird sie durch thermische Fluktuationen im Material, wodurch der Zeitpunkt der Umkehrung starken Schwankungen unterliegt.

Mögliche Anwendungen in RAM

Bis zu einer Billion Umkehr-Pulse schickten die Forscher mit einer Frequenz von 20 Megahertz durch den Kobalt-Punkt, ohne dass die Qualität der Magnetisierungs-Umkehrung darunter litt. «Das lässt uns hoffen, dass unsere Technologie für Anwendungen in magnetischen RAM geeignet ist», sagt Gambardellas ehemaliger Postdoktorand Kevin Garello, ebenfalls Erstautor der Studie. Garello arbeitet mittlerweile am Forschungszentrum Imec in Löwen, Belgien, an der kommerziellen Umsetzung des Verfahrens.

Als ersten Schritt in diese Richtung wollen die Forscher ihre Materialen so optimieren, dass die Umkehrung noch schneller und mit geringeren Stromstärken funktioniert. Unter anderem soll dies durch eine verbesserte Form der Kobalt-Punkte erreicht werden.

Im Moment sind diese rund, doch andere Formen wie Ellipsen oder Rauten könnten die Magnetisierungs-Umkehrung noch effizienter machen, wie die Wissenschaftler sagen. Mit magnetischen RAM würde unter anderem das Laden des Betriebssystems beim Hochfahren eines Computers überflüssig – die entsprechenden Programme blieben dann auch ohne Stromzufuhr im Arbeitsspeicher erhalten.

Literaturhinweis

Baumgartner M et al.: Spatially and time-resolved magnetization dynamics driven by spin–orbit torques, Nature Nanotechnology, 21. August 2017, doi: 10.1038/nnano.2017.151 [http://dx.doi.org/10.1038/nnano.2017.151]

Weitere Informationen:

https://www.ethz.ch/content/main/de/news-und-veranstaltungen/eth-news/news/2017/...

Hochschulkommunikation | Eidgenössische Technische Hochschule Zürich (ETH Zürich)

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