Forum für Wissenschaft, Industrie und Wirtschaft

Hauptsponsoren:     3M 
Datenbankrecherche:

 

Infineon stellt neue Generation seiner GOLDMOS®-Technologie für HF-Leistungstransistoren in Applikationen vor

29.06.2004


Infineon Technologies AG stellt die nächste Generation seiner GOLDMOS®-Technologie vor. Diese LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor)-Chip-Technologie für leistungsfähige HF-Power-Transistoren ermöglicht die Entwicklung von äußerst zuverlässigen und preiswerten Linear-Verstärkerschaltungen. Neben der ausgezeichneten Linearität, der sehr hohen Bandbreite und dem verringerten „Memory-Effekt“ bieten die neuen GOLDMOS HF-Leistungstransistoren auch das industrieweit beste thermische Verhalten. Die GOLDMOS-Transistoren werden in Basisstationsverstärkern für UMTS/WCDMA, GSM, CDMA, EDGE, TDSCDMA, PCS/DCS, MMDS sowie in TV- und DAB-Produkten eingesetzt.




Mit der neuen GOLDMOS-Technologie definiert Infineon auf der Basis fortschrittlichster LDMOS-Wafer-Prozesse für HF-Leistungstransistoren neue Performance-Maßstäbe für künftige drahtlose Netzwerke. Infineon setzt dabei weiter auf die Gold-Metallisierung, mit bewährter Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen. In Kombination mit der großen Expertise bei der Gehäusetechnik und bei der Halbleiterentwicklung ermöglicht Infineons neue Prozesstechnologie HF-Leistungstransistoren, die neue Standards bei der Leistungsfähigkeit setzen.



„Unsere Entwickler-Teams habe diese neue Silizium- und Gehäuse-Technologie mit den besten Leistungsmerkmalen der Industrie in weniger als einem Jahr realisiert“, sagte Johan Tingsborg, Leiter des Geschäftsgebiets Wireless Infrastrukture im Bereich Secure Mobile Solutions von Infineon. „Dies demonstriert eindrucksvoll den hohen Stellenwert, den Infineon dem Markt für drahtlose Infrastrukturen beimisst. Wir werden unsere Anstrengungen weiter verstärken, damit unsere Kunden die Anforderungen an das HF-Power-Management in künftigen drahtlosen Netzwerken erfüllen können.“

Hintergrundinformationen zu den GOLDMOS High-Power-HF-Transistoren

Die neuen GOLDMOS HF-Leistungstransistoren von Infineon bieten eine unerreichte lineare Betriebseffizienz. Die Verbesserung gegenüber der vorherigen Generation beträgt ungefähr 10 Prozent. Weitere herausragende Merkmale sind die extrem hohe Bandbreite, der reduzierte Memory-Effekt und das industrieweit beste thermische Verhalten. Eines der ersten Produkte auf Basis der neuen Technologie ist beispielsweise ein Single-ended-100-Watt-Baustein (PTFA211001E) für 2,1 GHz. Der Chip bietet im 2-Carrier-WCDMA-3GPP-Mode eine durchschnittliche Ausgangsleistung von 22 Watt, einen Verstärkungsfaktor von 16,5 dB und eine 30-prozentige Betriebseffizienz. Weitere Merkmale sind eine extrem hohe Bandbreite von einigen Hundert MHz, eine IM3 (Intermodulation 3ter Ordnung)-Verzerrung von -37dBc und ein Wärmewiderstand von nur 0,38° C/W.

Mit einer um 30 Prozent höheren Leistungsdichte und höheren Ein- und Ausgangsimpedanzen im Vergleich zur Vorgängergeneration bringt Infineon eine Familie von Leistungstransistoren auf den Markt, die auf die Anforderungen der fortschrittlichsten Verstärker-Applikationen zielt. Diese Verstärker erfordern hohe Leistungen (Peak-to-Average) über große Bandbreiten. Die thermische Leistungsfähigkeit der GOLDMOS-Transistoren wurde gegenüber der Vorgängergeneration nochmals deutlich verbessert. Mit den niedrigsten Sperrschicht-Temperaturen im Vergleich zu anderen auf dem Markt verfügbaren Leistungstransistoren bietet Infineon die industrieweit zuverlässigsten Bauelemente.

Erste GOLDMOS-Produktmuster werden ab dem 3. Quartal 2004 verfügbar sein. Beginn der Serienproduktion ist 4. Quartal 2004.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 32.300 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2003 (Ende September) einen Umsatz von 6,15 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert.

| Infineon
Weitere Informationen:
http://www.infineon.com
http://www.infineon.com/wireless

Weitere Nachrichten aus der Kategorie Informationstechnologie:

nachricht Smart Living: VDE-Institut entwickelt Cloud-basierte interoperable Testplattform
15.02.2017 | VDE Verband der Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik e.V.

nachricht Saarbrücker Informatiker machen „Augmented Reality“ fotorealistisch
15.02.2017 | Universität des Saarlandes

Alle Nachrichten aus der Kategorie: Informationstechnologie >>>

Die aktuellsten Pressemeldungen zum Suchbegriff Innovation >>>

Die letzten 5 Focus-News des innovations-reports im Überblick:

Im Focus: „Vernetzte Autonome Systeme“ von acatech und DFKI auf der CeBIT

Auf der IT-Messe CeBIT vom 20. bis 24. März präsentieren acatech – Deutsche Akademie der Technikwissenschaften und das Deutsche Forschungszentrum für Künstliche Intelligenz (DFKI) in Kooperation mit der Deutschen Messe AG vernetzte Autonome Systeme. In Halle 12 am Stand B 63 erwarten die Besucherinnen und Besucher unter anderem Roboter, die Hand in Hand mit Menschen zusammenarbeiten oder die selbstständig gefährliche Umgebungen erkunden.

Auf der IT-Messe CeBIT vom 20. bis 24. März präsentieren acatech – Deutsche Akademie der Technikwissenschaften und das Deutsche Forschungszentrum für...

Im Focus: Kühler Zwerg und die sieben Planeten

Erdgroße Planeten mit gemäßigtem Klima in System mit ungewöhnlich vielen Planeten entdeckt

In einer Entfernung von nur 40 Lichtjahren haben Astronomen ein System aus sieben erdgroßen Planeten entdeckt. Alle Planeten wurden unter Verwendung von boden-...

Im Focus: Mehr Sicherheit für Flugzeuge

Zwei Entwicklungen am Lehrgebiet Rechnerarchitektur der FernUniversität in Hagen können das Fliegen sicherer machen: ein Flugassistenzsystem, das bei einem totalen Triebwerksausfall zum Einsatz kommt, um den Piloten ein sicheres Gleiten zu einem Notlandeplatz zu ermöglichen, und ein Assistenzsystem für Segelflieger, das ihnen das Erreichen größerer Höhen erleichtert. Präsentiert werden sie von Prof. Dr.-Ing. Wolfram Schiffmann auf der Internationalen Fachmesse für Allgemeine Luftfahrt AERO vom 5. bis 8. April in Friedrichshafen.

Zwei Entwicklungen am Lehrgebiet Rechnerarchitektur der FernUniversität in Hagen können das Fliegen sicherer machen: ein Flugassistenzsystem, das bei einem...

Im Focus: HIGH-TOOL unterstützt Verkehrsplanung in Europa

Forschung am Karlsruher Institut für Technologie (KIT) unterstützt die Europäische Kommission bei der Verkehrsplanung: Anhand des neuen Modells HIGH-TOOL lässt sich bewerten, wie verkehrspolitische Maßnahmen langfristig auf Wirtschaft, Gesellschaft und Umwelt wirken. HIGH-TOOL ist ein frei zugängliches Modell mit Modulen für Demografie, Wirtschaft und Ressourcen, Fahrzeugbestand, Nachfrage im Personen- und Güterverkehr sowie Umwelt und Sicherheit. An dem nun erfolgreich abgeschlossenen EU-Projekt unter der Koordination des KIT waren acht Partner aus fünf Ländern beteiligt.

Forschung am Karlsruher Institut für Technologie (KIT) unterstützt die Europäische Kommission bei der Verkehrsplanung: Anhand des neuen Modells HIGH-TOOL lässt...

Im Focus: Zinn in der Photodiode: nächster Schritt zur optischen On-Chip-Datenübertragung

Schon lange suchen Wissenschaftler nach einer geeigneten Lösung, um optische Komponenten auf einem Computerchip zu integrieren. Doch Silizium und Germanium allein – die stoffliche Basis der Chip-Produktion – sind als Lichtquelle kaum geeignet. Jülicher Physiker haben nun gemeinsam mit internationalen Partnern eine Diode vorgestellt, die neben Silizium und Germanium zusätzlich Zinn enthält, um die optischen Eigenschaften zu verbessern. Das Besondere daran: Da alle Elemente der vierten Hauptgruppe angehören, sind sie mit der bestehenden Silizium-Technologie voll kompatibel.

Schon lange suchen Wissenschaftler nach einer geeigneten Lösung, um optische Komponenten auf einem Computerchip zu integrieren. Doch Silizium und Germanium...

Alle Focus-News des Innovations-reports >>>

Anzeige

Anzeige

IHR
JOB & KARRIERE
SERVICE
im innovations-report
in Kooperation mit academics
Veranstaltungen

Aufbruch: Forschungsmethoden in einer personalisierten Medizin

24.02.2017 | Veranstaltungen

Österreich erzeugt erstmals Erdgas aus Sonnen- und Windenergie

24.02.2017 | Veranstaltungen

Big Data Centrum Ostbayern-Südböhmen startet Veranstaltungsreihe

23.02.2017 | Veranstaltungen

 
VideoLinks
B2B-VideoLinks
Weitere VideoLinks >>>
Aktuelle Beiträge

Fraunhofer HHI auf dem Mobile World Congress mit VR- und 5G-Technologien

24.02.2017 | Messenachrichten

MWC 2017: 5G-Hauptstadt Berlin

24.02.2017 | Messenachrichten

Auf der molekularen Streckbank

24.02.2017 | Biowissenschaften Chemie