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Für eine zuverlässige, leistungsstarke kabellose Kommunikation

15.02.2005


Es wurden mehrere moderne Schaltungen entwickelt, die mit Hinblick auf ihre Nutzung in leistungsstarken Anwendungen wie Modulatortreibern in integrierten Chips von optoelektronischen Untersystemen getestet wurden.



Kabellose Netzwerke haben sich zu einer der wichtigsten Kommunikationsumgebungen zur Bereitstellung von verschiedenen Diensten wie Breitband-Multimedia für Arbeits-, Bildungs- und Unterhaltungszwecke entwickelt. Diese Multimedia-Dienste werden von fest installierten und mobilen Zugangsnetzwerken mit 40GHz unterstützt. Die Qualität der Dienste hängt in erster Linie von der Leistung, Zuverlässigkeit und Verfügbarkeit von kabellosen Verbindungen ab.

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Die Qualitätsziele können aber nicht immer erreicht werden, da oftmals Leistungseinschränkungen auftreten, die eine natürliche Ursache haben oder vom Menschen geschaffen wurden. So können beispielsweise starker Niederschlag in einigen Bereichen des Dienstes oder provisorische Hindernisse, die die Funkwellen abfangen, die Verbindung beeinträchtigen. Deshalb werden effizientere Managementstrategien für den Erfassungsbereich benötigt, die die Qualität des Dienstes und der Spektrumressourcen in der kabellosen Kommunikation optimieren können.

Um diesem Bedürfnis zu entsprechen, wurden im Rahmen des OBANET-Projekts mit einem optischen Strahlformer Basisstationantennen für die Berücksichtigung von dynamischen Veränderungen im Netzwerk entwickelt. In diesem Zusammenhang wurden leistungsstarke optoelektronische Geräte und photonische integrierte Schaltungen für die Zwecke des optischen Strahlformers hergestellt.

Hierbei wurden leistungsfähige Treiberverstärker mit Monolithisch Integrierten Mikrowellenschaltungen (Monolithic Microwave Integrated Circuits - MMIC) entwickelt und präsentiert. Diese wurden auf Schwankungen getestet und zeigten eine ausgezeichnete Leistungsfähigkeit. Der Chip wurde durch Verwendung eines GaAs Mikrometerwellen-Hochleistungsprozesses produziert und hat eine Größe von ungefähr 2x3mm.

Es besteht Interesse an einem Lizenzabkommen, und potenziellen Partnern werden Muster für die Bewertung sowie den Anwendungssupport angeboten. Die derzeitige kommerzielle GaAs-Fertigungsanlage kann weiterhin für die Chip-Produktion genutzt werden. Weitere Informationen zum OBANET-Projekt erhalten Sie auf der Projekt-Website unter: http://ist-obanet.upv.es/

Dr. Peter de Hek | ctm
Weitere Informationen:
http://ist-obanet.upv.es/
http://www.tno.nl/instit/fel

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