TFET

Ultra-Low-Power Elektronik mit "grünen" Transistoren

Die Informationstechnik (IT) hält in immer mehr Lebensbereichen Einzug. Stromeinsparungen sind dringend notwendig. Als besonders energiesparende Komponenten…

IEDM 2004: Infineon präsentiert neue Tunnel-Feldeffekt-Transistoren für skalierbare und stromsparende Prozesse

Auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2004 in San Francisco (13. bis 15. Dezember 2004) präsentierte Infineon Technologies AG mehrere technische Vorträge mit vielversprechenden Forschungsergebnissen. So wurde u.a. in Zusammenarbeit mit der Technischen Universität in München ein neues skalierbares Transistorkonzept für stromsparende digitale und analoge Schaltungen vorgestellt. Erstmals konnten Tunnel-Feldeffekt-Transistoren (TFETs) in einem Standard-Silizium-Prozess mit ausg