Phase Change ROM – Galliumoxid zur Datenspeicherung

Die Phase Change ROM basiert auf der Entdeckung, dass in amorphem GaOx durch Kristallisation von Ga2O3 ein Leitfähigkeitsprung von 7 Größenordnungen bewirkt werden kann. Die Umwandlung von amorphem Galliumoxid in die kristalline Verbindung Ga2O3 lässt sich für definierte Bereiche in nanoskopischen Dimensionen durch einfachen Laserbeschuss induzieren. Dies lässt sich zur Herstellung von nicht-flüchtigen Daten-Speichermedien nutzen.

Kommerzielle Anwendung Die Phase Change ROM Technologie bietet die Grundlage für sehr langlebige Datenspeicher mit hoher Speicherdichte, die elektrisch oder optisch ausgelesen werden können.

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