Phase Change ROM – Galliumoxid zur Datenspeicherung
Die Phase Change ROM basiert auf der Entdeckung, dass in amorphem GaOx durch Kristallisation von Ga2O3 ein Leitfähigkeitsprung von 7 Größenordnungen bewirkt werden kann. Die Umwandlung von amorphem Galliumoxid in die kristalline Verbindung Ga2O3 lässt sich für definierte Bereiche in nanoskopischen Dimensionen durch einfachen Laserbeschuss induzieren. Dies lässt sich zur Herstellung von nicht-flüchtigen Daten-Speichermedien nutzen.
Kommerzielle Anwendung Die Phase Change ROM Technologie bietet die Grundlage für sehr langlebige Datenspeicher mit hoher Speicherdichte, die elektrisch oder optisch ausgelesen werden können.
Weitere Informationen: PDF
PROvendis GmbH
Tel.: +49 (0)208/94105 10
Ansprechpartner
Dipl.-Ing. Alfred Schillert
Media Contact
Alle Nachrichten aus der Kategorie: Technologieangebote
Neueste Beiträge
Nanofasern befreien Wasser von gefährlichen Farbstoffen
Farbstoffe, wie sie zum Beispiel in der Textilindustrie verwendet werden, sind ein großes Umweltproblem. An der TU Wien entwickelte man nun effiziente Filter dafür – mit Hilfe von Zellulose-Abfällen. Abfall…
Entscheidender Durchbruch für die Batterieproduktion
Energie speichern und nutzen mit innovativen Schwefelkathoden. HU-Forschungsteam entwickelt Grundlagen für nachhaltige Batterietechnologie. Elektromobilität und portable elektronische Geräte wie Laptop und Handy sind ohne die Verwendung von Lithium-Ionen-Batterien undenkbar. Das…
Wenn Immunzellen den Körper bewegungsunfähig machen
Weltweit erste Therapie der systemischen Sklerose mit einer onkologischen Immuntherapie am LMU Klinikum München. Es ist ein durchaus spektakulärer Fall: Nach einem mehrwöchigen Behandlungszyklus mit einem immuntherapeutischen Krebsmedikament hat ein…
