Gunn-Diode auf GaN-Substrat zur Erzeugung von Hochfrequenzsignal mit hoher Leistung

Die Erfindung betrifft GaN-Gunndioden, die auf GaN-Substrat hergestellt wurden und zur Erzeugung von Millimeterwellen mit sehr hohen Leistungen geeignet sind. Aufgrund einer besonderen Ausgestaltung und Anordnung der Kontaktierung konnte mit diesen neuen Bauelementen eine stabile Strom-Spannungskennlinie mit einem gut ausgeprägten negativen differentiellen Widerstand erzeugt werden. Dabei können deutlich größere Feldstärken als die Schwellenfeldstärke verwendet werden.

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TransMIT Gesellschaft für Technologietransfer mbH
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Dr. Peter Stumpf

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