Bow-Eliminierung bei dünnen Solarzellen durch kurzzeitiges Tiefkühlen
Durch einen einfachen Tiefkühlschritt wird bei dünnen Siliziumwafern nach der Verstringung die Verbiegung der Wafer (Bow-Bildung!) aktiv rückgängig gemacht. Dadurch können auch größere Wafer mit einer Dicke unter 200 µm hergestellt werden, was ein hohes Einsparpotentiel im Hinblick auf den teuren Rohstoff hochreines Silizium darstellt.
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Tel.: +49 (0)721/79 00 40
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Professor Dr. Arno Basedow
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