Motorola stellt Nano-Flash-Speicher vor

Forscher erzeugen 4Mb-Baustein mit konventionellen Geräten

hat nach eigenen Angaben den weltweit ersten 4Mbit-Flash-Speicherchip demonstriert, der auf Silizium-Nanokristallen basiert. Der Prototyp ist voll funktionsfähig. Motorola sieht diesen Chip für nicht flüchtige Speicher als einen wichtigen Meilenstein bei der Entwicklung der Nachfolger für die augenblicklichen Flashspeicher auf der Basis von „Floating-Gates“ an. Der Konzern geht davon aus, dass die gegenwärtigen Flashspeicher in den kommenden Jahren sich nicht mehr auf kleinere Strukturen skalieren lassen.

Die Silizium-Nanokristall-Speicher gehören zu der neuen Klasse der Dünnfilm-Speicher. Dabei platzierten die Wissenschafter von Motorola mit herkömmlichen in der Halbleiterproduktion verwendeten Geräten Kugeln aus Silizium-Nanokristallen zwischen zwei Oxidschichten. Diese wurden so angelegt, dass sie Ladungen halten können und keine seitliche Bewegungen zu anderen Kristallen möglich sind.

Motorola hat die Testmatrix unter Verwendung eines 90-Nanometer-Prozesses auf 200 Millimeter-Wafern in Austin hergestellt. Für einen arbeitsfähigen Prototypen mussten vor allem die Kristalle mit einer konstanten Dichte und Größe gezüchtet werden. Sind die Kristalle zu klein oder zu weiträumig verteilt, dann ist der Baustein nicht in der Lage, eine ausreichende Ladung pro Flächeneinheit zu halten. Nur mit der richtigen Ladungsdichte kann der Speicher “Ein/Aus”-Zustände beziehungsweise 0 und 1 erkennen. Sind die Kristalle zu groß oder zu dicht, dann können sich die Elektronen zu anderen Kristallen hin bewegen oder entkommen. Die Forscher von Motorola wollen sich jetzt darauf konzentrieren die Chipgröße weiter zu reduzieren. Bis 2004 soll der Prozess bis zur Produktionsreife gediehen sein.