Mit Nanodraht zum Weltrekord
Die Experten für Halbleiter- und Elektrotechnik vom Center for Nanointegration (CENIDE) entwickelten dazu eine Leuchtdiode auf Gallium-Nitrid (GaN) Basis, die mit einer Rekordfrequenz von über einem Gigahertz betrieben werden kann.
Ermöglicht wurde dies durch eine neuartige Bauelement-Architektur, in dem ein Nanodraht die Hauptrolle spielt. Auf diese Weise können interne elektrische Felder unterdrückt werden, die sich bisher negativ auf die Hochfrequenzeigenschaften von GaN-Leuchtdioden ausgewirkt haben.
Die UDE-Wissenschaftler arbeiten mit winzigen GaN-Nanodrähten, die sehr dicht auf kostengünstige Siliziumsubstrate aufgebracht werden – eine Vorstufe des späteren elektrischen Bauelements.
„Angewendet werden könnten solche Leuchtdioden vor allem in der Datenübertragung auf kurzer Strecke, beispielsweise bei Funkübertragungen in Gebäuden oder beim Intranet über Plastikfasern. Auch das Integrieren in die Deckenbeleuchtung für breitbandige Freiraumübertragung ist denkbar.
„Nach der prinzipiellen Demonstration dieses neuartigen Bauelement-Konzeptes geht es nun darum, die Effizienz und Lichtauskopplung zu optimieren“, so die Arbeitsgruppenleiter Prof. Dr. Gerd Bacher und Prof. Dr. Franz-Josef Tegude. So könne das Potential weiter ausgeschöpft werden, um das Konzept zukünftig näher in Richtung Anwendung zu bringen.
Weitere Informationen: Nano Letters 15(4), 2318-23, 2015.
Prof. Franz-Josef Tegude, Tel. 0203/379-3392, franz.tegude@uni-due.de,
Prof. Gerd Bacher, Tel. 0203/379–3406, gerd.bacher@uni-due.de
Redaktion: Beate Kostka, Tel. 0203/379-2430
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