Neue Prozessoren für mehr Akkuleistung

Intel: 65nm Fertigungsverfahren reduziert Leckströme

Intel hat ein neues Prozessor-Fertigungsverfahren entwickelt, das die Akkulaufzeit von mobilen Geräten verlängern soll. Die 65nm-Methode zur Fertigung von Mikroprozessoren soll Chips für mobile Plattformen mit kleinem Formfaktor herstellen. Bei welchen Geräten die Prozessoren eingesetzt werden, wollte Intel auf Anfrage von pressetext noch nicht bekannt geben. Möglich sei der Einsatz bei sämtlichen mobilen Geräten vom Handy bis zum Laptop, so Intel-Sprecher Martin Strobel. Anfang 2006 sollen die Mikroprozessoren zur Verfügung stehen, verkauft werden sie im zweiten Quartal des nächsten Jahres.

Das High Performance 65 Nanometer-Verfahren soll gegenüber dem derzeit üblichen 90nm-Verfahren deutliche Vorteile hinsichtlich des Stromverbrauchs als auch der Performance aufweisen. Bei dem Verfahren wurde eine Reihe an Modifikationen am Aufbau des Transistors vorgenommen. Der Energieverbrauch soll reduziert werden, im dem die drei Hauptquellen von Leckströmen, Sub-Threshold-Leakage, Junction-Leakage und Gate-Oxid Leakage, verringert werden. Bei mobilen, Akku-betriebenen Geräten treten selbst im Ruhezustand Leckströme auf. „Die Verlustleistung bei den Testchips war tausendmal geringer als bei dem bisherigen Standardverfahren“, sagt Strobel gegenüber pressetext.

„Auf manchen Chips stecken über eine Milliarde Transistoren. Angesichts dieser hohen Zahl wird deutlich, dass sich die Verbesserung der einzelnen Transistoren zu enormen Vorteilen für den gesamten Chip addieren“, erklärt Mark Bohr, Leiter des Bereichs Prozessarchitektur bei Intel. Durch den Einsatz des 65nm-Verfahrens bei der Chipherstellung kann die Anzahl der Transistoren auf einem Prozessor im Vergleich zur 90nm-Technologie verdoppelt werden. Die Herstellungskosten fallen um etwa zwei Prozent höher aus. Die Transistoren nach dem 65nm-Verfahren sollen die kleinsten und leistungsstärksten CMOS (komplementäre Metalloxid-Halbleiter)-Transistoren in der Massenproduktion sein. Sie haben eine Gate-Länge von 35nm, die modernsten Transistoren, die in den Pentium 4 Prozessoren verwendet werden haben eine Gate-Länge von 50nm.

Redakteur: Christine Imlinger
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