Mit industrieweit erstem Single-Chip CMOS-EDGE-Transceiver Flächenbedarf für Funkteil in EDGE-Mobiltelefonen um 50% senken

Der neue SMARTi PM von Infineon Technologies AG ist der industrieweit erste Single-Chip CMOS-HF-Transceiver für GSM-, GPRS- und EDGE-Mobiltelefone und in Musterstückzahlen verfügbar. Mit Hilfe des SMARTi PM reduziert sich die Boardfläche der kompletten GPRS/EDGE-Funkeinheit im Handy um etwa 50 Prozent gegenüber heute verfügbaren Lösungen bei um rund 30 Prozent niedrigeren Bauelementekosten. Durch seinen hohen Integrationsgrad können Hersteller von GSM-/GPRS-/EDGE-Mobiltelefonen die Anzahl der externen Komponenten für den HF-Teil auf unter 15 senken. Aufgrund der Polar-Loop-Architektur sind keine Isolatoren oder externen Filterkomponenten im Sendepfad mehr erforderlich. Er unterstützt GPRS/EDGE-Datendienste der Klassen 1 bis 12 für schnellen Datentransfer und Quad-Band-Applikationen. Die Single-Chip-Lösung ermöglicht einen einfachen und fertigungsoptimierten Einsatz, so dass Hersteller von Mobiltelefonen verschiedene Handy-Designs auf einer einzigen Chip-Plattform schnell auf den Markt bringen können.

Der SMARTi PM (PMB 6272) ist ein CMOS-Single-Chip für Sprach- und Datentransfer-Applikationen. Er unterstützt die Standards GSM/GPRS/EDGE850/900/1800/ 1900. Bereits verfügbare Produkte mit den Transceivern SMARTi SD und SMARTi SD2 von Infineon lassen sich einfach auf EDGE-Funktionalität aufrüsten, da die Schnittstellen des SMARTi PM zum SMARTi SD und SD2 kompatibel sind.

„Die Einführung eines integrierten CMOS-Transceivers für GSM/GPRS/EDGE stellt einen wichtigen Schritt bei der konsequenten Erweiterung unserer neuen Produktfamilie mit leistungsfähigen und stromsparenden CMOS-HF-Transceivern dar“, sagte Stefan Wolff, Leiter des Geschäftsfeldes RF Engine bei Infineon. „Durch die Wiederverwendung von Core-IP unserer erfolgreichen GPRS-Transceiver SMARTi SD und SD2 und auf Basis unserer umfangreichen CMOS-Expertise haben wir den SMARTi PM sehr schnell entwickelt. Davon profitieren jetzt unsere Kunden mit kürzerem Time-to-Marktet. Der SMARTi PM belegt einmal mehr Infineons Technologie-Führerschaft bei HF-Transceivern.“

Mit dem SMARTI PM wurde ein neues digitales Transceiver-Konzept eingeführt, dass bestmöglich auf den 0,13-µm-CMOS-Fertigungsprozess abgestimmt ist. Darüber hinaus bietet der Chip ein analoges I/Q-Basisband-Interface, Zero-F-Empfänger und einen Quadband-Polar-Modulator für EDGE mit integriertem PGA (Programmable Gain Amplifier). Mit seiner Standard-I/Q-Schnittstelle kann der SMARTi PM an alle gängigen EDGE-Basisband-Chips angeschlossen werden. Er arbeitet mit einem standardmäßigen linearen Power-Amplifier, der von mehreren Anbietern am Markt zu beziehen ist.

Der SMARTi PM kann vollständig über einen 3-Leiter-Bus gesteuert werden. In Kombination mit dem Basisband-Chip S-GOLD2 (PMB8876) und dem Power-Management-Baustein SM-POWER-3 (PMB6821) von Infineon steht eine äußerst kompakte und kosteneffiziente 3-Chip-Lösung für ein vollständiges EDGE-System zur Verfügung.

Verfügbarkeit

Muster des SMARTi PM sind verfügbar. Führende Mobiltelefonhersteller nutzen ihn bereits bei der Entwicklung von Handys der nächsten Generation. Der Chip arbeitet mit 2,8 V bzw. 1,5 V und wird in einem 40-poligen bleifreien VQFN-Gehäuse (5,5 mm x 6,5 mm) geliefert.

Infineon wird den SMARTi PM auf der Messe 3GSM World Congress 2005 in Cannes, Frankreich (14. bis 17. Februar 2005) auf seinen Stand A19/A20 in der Halle 1 präsentieren.