Neuartiger Transistor zur Bewegungserkennung

Einen neuartigen Transistor zur Bewegungserkennung präsentieren Wissenschaftler der Professur Elektronische Bauelemente der TU Chemnitz vom 8. bis 12. Juni 2003 auf der 12. Internationalen Konferenz TRANSDUCERS in Boston (USA) erstmals der Öffentlichkeit.

Mit diesem Sensor können Lageänderungen, Bewegungen und Schwingungen einfacher und feinfühliger als bisher erkannt werden. Die Vorzüge des Transistors liegen in einer höheren Signalausbeute bei gleichzeitig reduzierter Fläche gegenüber herkömmlichen Sensoren. In diesem Bauelement wurden Herstellungstechnologien mikromechanischer Strukturen mit Prozessschritten der Elektronikfertigung kombiniert. Die Wirkungsweise des Bauelements beruht auf dem elektrischen Feldsteuereffekt. Dieser physikalische Effekt kommt bisher millionenfach in integrierten Transistoren von Prozessoren zur Anwendung. Wird dieses Wirkprinzip in Kombination mit mikromechanischen Elementen genutzt, entsteht ein enormes Potenzial für neue Anwendungen.

Die Entwicklung des Transistors erfolgte im Rahmen des Chemnitzer Sonderforschungsbereiches „Mikromechanische Sensor- und Aktorarrays“, der von der Deutschen Forschungsgemeinschaft gefördert wird. Hergestellt wurde der neue Transistor in Zusammenarbeit mit dem Zentrum für Mikrotechnologien.

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