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M-RAM, der Lese - Schreib - Speicher der Zukunft

20.02.2003


Forschern der STIC (Informations- und Kommunikationstechnologien) und der SPM (Physik und Mathematik) Abteilungen des CNRS ist es gelungen, für M-RAM („Magnetic Random Access Memory“, einem Speichertyp, der vor 5 Jahren von IBM entwickelt wurde) eine Schreibgeschwindigkeit zu erreichen, die der Geschwindigkeit der traditionellen Lese - Schreib - Speicher ähnlich ist. Diese Entdeckung könnte es M-RAM ermöglichen, sehr bald in Computern, Handys und Fotoapparaten zum Einsatz zu kommen. Die heutigen Lese - Schreib - Speicher (SDRAM: Synchronous Dynamic random Access Memory, DDRAM: Double Data Random Access Memory) speichern Informationen als elektrische Ladung. Wenn Strom vom Speicher abgeschaltet wird, verschwindet die Information unwiederbringlich. Andere Speicherarten können dieses Problem lösen (z.B. der „Flash“ Speicher). Um jedoch Informationen auf solche Speicher zu schreiben, benötigt man relativ viel Energie und das Schreiben lässt sich nur viel langsamer als mit RAM Speicher vollziehen.

Die M-RAM Technologie, deren Prinzip von den IBM Laboratorien entwickelt wurde, ist in der Lage, die Vorteile beider Speichervarianten zu bündeln. M-RAM ist ein permanenter, nicht volatiler Speicher. Selbst wenn alle Aktivitäten, für die man Strom benötigt, abgeschlossen wären, könnte der Computer wieder genau an dem Punkt ansetzen, an dem die Arbeit beendet wurde. Aus diesem Grund kann das M-RAM Informationen auch gänzlich ohne Strom aufbewahren, wie andere magnetische Speicherformen auch.

CNRS Forscher des Labors für Grundlagenelektronik (IEF) und des Labors für Festkörperphysik (LPS) konnten solch einen Speicher schneller als ein Lese - Schreib -Speicher arbeiten lassen. Die ersten M-RAM Prototypen sind bescheiden (4 Mb im Jahre 2002 von Motorola). Diese Beschleunigung der M-RAM bietet auch neue Anwendungsgebiete: Ersatz für Flash Memories, die in numerischen Fotoapparaten benutzt werden, jedoch sehr langsam sind; und auf dem Gebiet der Weltraumforschung, da die auf Magneten basierende Funktion von Strahlen nicht beeinflusst wird.



Kontakt: Claude Chappert


Institut d’Electronique Fondamentale, Bât 220,
Université Paris-Sud , Centre d’Orsay, 91405 Orsay cedex
+33 1 69 15 40 42

+33 1.69.15.78.41
chappert@ief.u-psud.fr

Jacques Miltat
Laboratoire de Physique des Solides, UMR 8502,
Université Paris-Sud, Bät. 510, 91405 Orsay cedex
+33 1 69 15 53 74
+33 1 69 15 60 86
miltat@lps.u-psud.fr

Quelle: Information Presse CNRS, 6 Februar 2003
Redakteur: Jean-Michel Nataf, France@nusurf.at

Quelle:
Wissenschaft-Frankreich 25, 19.02.2003
Französische Botschaften in Deutschland und in Österreich
Kostenloses Abonnement durch E-Mail : sciencetech@botschaft-frankreich.de

| Wissenschaft-Frankreich Nr. 25
Weitere Informationen:
http://www.u-psud.fr/ief

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