CEA/Leti verwirklicht die ersten „HighK Metal Gate“ Transistoren

CEA/Leti verwirklicht die ersten „HighK Metal Gate“ Transistoren auf Platten von 300 mm für eine höhere Leistung und Portabilität

Mit diesen ersten Platten, die in enger Zusammenarbeit mit den Unternehmern der Allianz Crolles 2 verwirklicht wurden (STMicroelectronics, Freescale Semiconductors und Philips Semiconductors), haben die Forscher des CEA Leti bewiesen, dass es möglich ist, auf 300 mm Strukturen MOS zu integrieren, die einen isolierenden Werkstoff mit hoher Dielektrizitätskonstante (HfSiON) und ein metallisches Gitter verbinden. Diese beiden Elemente ermöglichen eine Verringerung des parasitären Stroms durch den Isolator und helfen eine Verarmung des Gitters zu vermeiden. Somit ist es möglich, einen niedrigen Stromverbrauch im Ruhezustand und eine außergewöhnliche Geschwindigkeit zu erzielen. Diese neue Form der Gitterschichtung hält thermische Behandlungen von 1000°C während 10 Sekunden aus und ist somit vollständig kompatibel mit den Standardarchitekturen „planar CMOS“. Sie ebnet den Weg für 45nm Technologien für eine höhere Portabilität und Leistung. „Dieser Erfolg bringt uns an die Weltspitze, erklärt OIivier Demolliens, Chef des Departements Nanotec 300. Er beweist, dass unsere 300mm für die Integration der fortschrittlichsten Materialien „Front End“ hundertprozentig einsatzfähig sind. Bis Ende des Jahres 2005 werden wir alle „Back End“ Geräte beherrschen, die für die Verbesserung der Verbindungen notwendig sind, insbesondere Isolatoren mit sehr geringer Dielektrizitätskonstante (~2,2), denn diese ermöglichen eine Reduzierung der Streukapazitäten“.

Die Plattform Nanotec 300, die im letzten Jahr eingeweiht wurde, wird mit 300 Millionen Euro finanziert. Sie umfasst bereits heute 1500m² Reinräume und einen ersten Park mit 25 Maschinen, die der Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bestandteile auf Schichten von 300 Millimetern dienen. Ausgerichtet auf die technologische Forschung wird Nanotec 300 die Forschungs- und Entwicklungssysteme vervollständigen, die 2002 durch die Allianz in Crolles geschaffen wurden. Die Nähe der beiden Standorte begünstigt die enge Kopplung der Forschungsarbeiten, insbesondere durch die Möglichkeit des direkten Austauschs der Siliziumplatten. Diese Organisationsform erlaubt eine Optimierung der Investitionen und eine Beschleunigung des Innovationsvorgangs.

Wissenschaft-Frankreich Nr. 80 vom 04.07.2005
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