Elpida entwickelt 0,10 Mikron Ein-Gigabit-DDR2-Speicher

Chip ab Anfang 2004 am Massenmarkt erhältlich

Der japanische DRAM-Hersteller Elpida Memory hat Ein-Gigabit-DDR2-SDRAM-Komponenten entwickelt, die 533 Megabits pro Sekunde erreichen und in einem 0,10 Mikron-Prozess hergestellt werden. Wie das Joint-Venture von NEC und Hitachi http://www.hitachi.com heute, Donnerstag, erklärte, handelt es sich dabei um den schnellsten und dichtesten derartigen Speicher, der für Server-Applikationen momentan erhältlich ist.

„Mit einem Gigabit haben wir den nächsten großen Meilenstein bei der DRAM-Dichte erreicht, zudem ist DDR2 die fortschrittlichste DRAM-Architektur, die es gibt“, erklärte Elpida-CEO Yukio Sakamoto. „Und wir haben bereits erfolgreich erstes Silizium in dem 0,10 Mikron-Prozess produziert.“ Durch das neue Verfahren sei es sogar möglich, auf den selben Chips DDR- und DDR2-Speicher zu produzieren, wodurch man auf Änderungen der Nachfrage schnell reagieren könne.

Elpidas Ein-Gigabit-DDR2-SDRAM-Komponenten sollen die Basis für 4 Gigabyte DIMMs für Server und Workstations, 2 Gigabyte unbuffered DIMMs für Desktops und 2 Gigabyte small-outline DIMMs für Notebooks bilden. Erste Muster will Elpida voraussichtlich im November ausliefern, Anfang 2004 sollen die Chips dann auch am Massenmarkt erhältlich sein.

Media Contact

Stefan Theißbacher pressetext.austria

Alle Nachrichten aus der Kategorie: Informationstechnologie

Neuerungen und Entwicklungen auf den Gebieten der Informations- und Datenverarbeitung sowie der dafür benötigten Hardware finden Sie hier zusammengefasst.

Unter anderem erhalten Sie Informationen aus den Teilbereichen: IT-Dienstleistungen, IT-Architektur, IT-Management und Telekommunikation.

Zurück zur Startseite

Kommentare (0)

Schreiben Sie einen Kommentar

Neueste Beiträge

Hochleistungs-Metalloptiken mit Lothar-Späth-Award 2021 ausgezeichnet

Fraunhofer IOF und HENSOLDT Optronics entwickeln optisches Teleskop zur Erforschung des Jupitermondes Ganymed. Forscher des Fraunhofer-Institut für Angewandte Optik und Feinmechanik IOF sind gemeinsam mit ihrem Partner für die Entwicklung…

Chemiker designen „molekulares Flaggenmeer“

Forschende der Universität Bonn haben eine molekulare Struktur entwickelt, die Graphit-Oberflächen mit einem Meer winziger beflaggter „Fahnenstangen“ bedecken kann. Die Eigenschaften dieser Beschichtung lassen sich vielfältig variieren. Möglicherweise lassen sich…

Der nächste Schritt auf dem Weg zur Batterie der Zukunft

Kompetenzcluster für Festkörperbatterien „FestBatt“ des Bundesministeriums für Bildung und Forschung geht in die zweite Förderphase – Koordination durch Prof. Dr. Jürgen Janek vom Gießener Zentrum für Materialforschung – Rund 23…

Partner & Förderer