Selbstüberwachung des Durchbruchs von integrierten Halbleiterbauelementen
Die Erfindung ermöglicht eine Durchbruchüberwachung in Echtzeit von pn Übergängen an integrierten Halbleiterbauelementen. Die schon vor dem Durchbruch entstandene schwache Lichtemission an einem pn Übergang wird von einer in unmittelbarer Nähe integrierten Photodiode erfasst und abhängig davon die angelegte Spannung/Strom geregelt. Mit Hilfe dieser Überwachung lässt sich der Betriebsbereich ohne die Gefahr einer Zerstörung ausweiten und die Leistungsausbeute erhöhen
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Technologie-Lizenz-Büro (TLB) der Baden-Württembergischen Hochschulen GmbH
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Professor Dr. Arno Basedow
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