Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid als Beitrag zu mehr Energieeffizienz

Pitting-Defekt am Gate eines High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT) aus GaN. Diese »Grübchenbildung« entsteht durch mechanische Verspannungen und elektrochemische Oxidation. Fraunhofer IMWS

Die Digitalisierung in Industrie und privaten Haushalten, die Elektrifizierung in der Mobilität und die verstärkte Nutzung von Strom aus erneuerbaren Energien sorgen für einen Bedarf an Leistungshalbleitern, die Strom effizienter als bisherige Lösungen wandeln können.

Um diese zu global wettbewerbsfähigen Kosten für eine Vielzahl von Anwendungen bereitstellen zu können, haben sich für »UltimateGaN« (Research for GaN technologies, devices and applications to address the challenges of the futureGaN roadmap) 26 Partner zu einem der größten europäischen Forschungsprojekte zusammengeschlossen.

Sie setzen auf Galliumnitrid (GaN) als neues Halbleitermaterial, um innovative Leistungs- und Hochfrequenzelektronik zu ermöglichen und so die nächste Generation der Energiesparchips zu entwickeln.

Die Anwendungsfelder sind vielfältig und umfassen beispielsweise kürzere Ladezeiten für Elektroautos, einen schnelleren Datentransfer zwischen Anlagen, Objekten und Maschinen oder eine effizientere Netzeinspeisung von Strom aus Erneuerbaren Energien.

Das Fraunhofer IMWS bringt dabei seine langjährige Erfahrung in der hochauflösenden Mikrostrukturanalytik und komplexen Fehlerdiagnostik für elektronische Bauteile ein, ebenso seine Kompetenzen in der Entwicklung neuer Untersuchungsverfahren.

Die Grundlagen für das im Mai 2019 gestartete Projekt, das eine Laufzeit von drei Jahren hat und von Infineon Austria geleitet wird, wurden im vorangegangenen Forschungsprojekt »PowerBase« gelegt, an dem das Forscherteam aus Halle ebenfalls bereits beteiligt war.

»Die Basisgeneration und die Pilotlinie, die darin entwickelt wurden, werden nun auf ein neues Technologieniveau gehoben. Durch eine weitere Miniaturisierung der Chips, bei höherer Qualität und zu niedrigeren Herstellungskosten, soll das globale Marktpotenzial dieser Technologie weiter ausgeschöpft werden. Neue Materialien wie Galliumnitrid erfordern dabei neue Ansätze der Fehleranalytik, um spezifische Fehlermodi oder Degradationsprozesse erkennen, verstehen und damit abstellen zu können«, sagt Frank Altmann, Leiter des Geschäftsfelds »Werkstoffe und Bauelemente der Elektronik«.

Der Schlüssel zu effizienteren Bauelementen sind die speziellen Materialeigenschaften von GaN, die höhere Leistungsdichten ermöglichen. Bauteile auf GaN-Basis lassen sich in kleineren und leichteren Bauelementstrukturen umsetzen, die den Strom effizienter schalten sowie höhere Datenübertragungsraten ermöglichen. Stromverluste werden bis zur Hälfte reduziert.

»Die hohen elektrischen Feldstärken sowie Strom- und Leistungsdichten in sehr kompakten Bauelementen sind dabei besonders herausfordernd«, sagt Altmann. Deshalb werden in »Ultimate GaN« die Kompetenzen vieler Partner gebündelt, wodurch die gesamte Wertschöpfungskette abgebildet werden kann, von der Prozessentwicklung über Design, Aufbau- und Verbindungstechnologien bis hin zur integrierten Systemlösung.

Die Aktivitäten des Fraunhofer IMWS konzentrieren sich auf die Strukturcharakterisierung und hochauflösende Fehleranalytik lateraler und vertikaler GaN-Architekturen und leisten einen Beitrag zu einem tieferen Verständnis der auftretenden Fehlermodi und Degradationsmechanismen.

Dazu gehören die Charakterisierung von Grenzflächeneigenschaften am Gate und Ohm-Kontakt und zwischen GaN-Stack und Passivierung, die Entwicklung speziell angepasster Analysemethoden für die Lokalisierung und physikalische Analyse von Defekten sowie die Bestimmung von Defektrisiken beim Drahtbonden über aktiven GaN-Strukturen.

»UltimateGaN« wird aus Investitionen der Industrie, Förderungen der einzelnen beteiligten Länder sowie dem ECSEL Joint Undertaking (Electronic Components and Systems for European Leadership) finanziert.

Frank Altmann, Leiter Geschäftsfeld Werkstoffe und Bauelemente der Elektronik, Fraunhofer IMWS, Telefon +49 345 5589-139, frank.altmann@imws.fraunhofer.de

https://www.imws.fraunhofer.de/de/presse/pressemitteilungen/ultimate-gan-gallium…
http://www.ultimategan.eu/

Media Contact

Michael Kraft Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen IMWS

Alle Nachrichten aus der Kategorie: Energie und Elektrotechnik

Dieser Fachbereich umfasst die Erzeugung, Übertragung und Umformung von Energie, die Effizienz von Energieerzeugung, Energieumwandlung, Energietransport und letztlich die Energienutzung.

Der innovations-report bietet Ihnen hierzu interessante Berichte und Artikel, unter anderem zu den Teilbereichen: Windenergie, Brennstoffzellen, Sonnenenergie, Erdwärme, Erdöl, Gas, Atomtechnik, Alternative Energie, Energieeinsparung, Fusionstechnologie, Wasserstofftechnik und Supraleittechnik.

Zurück zur Startseite

Kommentare (0)

Schreiben Sie einen Kommentar

Neueste Beiträge

Neues topologisches Metamaterial

… verstärkt Schallwellen exponentiell. Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler am niederländischen Forschungsinstitut AMOLF haben in einer internationalen Kollaboration ein neuartiges Metamaterial entwickelt, durch das sich Schallwellen auf völlig neue Art und Weise…

Astronomen entdecken starke Magnetfelder

… am Rand des zentralen schwarzen Lochs der Milchstraße. Ein neues Bild des Event Horizon Telescope (EHT) hat starke und geordnete Magnetfelder aufgespürt, die vom Rand des supermassereichen schwarzen Lochs…

Faktor für die Gehirnexpansion beim Menschen

Was unterscheidet uns Menschen von anderen Lebewesen? Der Schlüssel liegt im Neokortex, der äußeren Schicht des Gehirns. Diese Gehirnregion ermöglicht uns abstraktes Denken, Kunst und komplexe Sprache. Ein internationales Forschungsteam…

Partner & Förderer