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Fraunhofer-Institut Angewandte Festkörperphysik


Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF befasst sich mit der Entwicklung von elektronischen und optoelektronischen Bauelementen und integrierten Schaltkreisen auf der Basis der III/V-Halbleiter.

Die Technologie umfasst die Epitaxie (MBE und MOVPE), optische und Elektronenstrahllithographie sowie geeignete Ätz- und Metallisierungsverfahren. Mit der verfügbaren Halbleitertechnik werden monolithisch integrierte Mikrowellen- und Millimeterwellenschaltungen (MMICs), optoelektronische Schaltungen (OEICs), digitale und multifunktionale ICs entwickelt. Anwendungen liegen in der Mobilkommunikation sowie in der hochbitratigen optischen Datenübertragung und -verarbeitung.

In der Entwicklung sind außerdem optoelektronische Bauelemente wie Hochleistungsdiodenlaser, blaue Emitter auf der Basis der Gruppe III-Nitride, Infrarotlaserdioden mit antimonhaltigen Verbindungshalbleitern und Infrarot-Detektoren für den Wellenlängenbereich 2-12 µm. Weiterentwickelt wird die Technologie zur Herstellung großflächiger, freitragender Diamantschichten (Durchmesser bis 150 mm, Dicke bis 1 mm) mittels Plasma-CVD für Wärmesenken, multispektrale Fenster und Sensorik. Das Institut erhält Aufträge von Halbleiterherstellern, der informations- und kommunikationstechnischen sowie laserherstellenden Industrie. Es ist an eine Reihe von öffentlich geförderten Verbundprogrammen und Leitprojekten beteiligt.

Das Institut hat 210 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter. Mehr als 8000 m² Büro-, Labor- und Reinraumflächen sowie die für die Herstellung von Prototypen und Kleinserien benötigte Prozesstechnologie stehen zur Verfügung.


 

Fraunhofer-Institut Angewandte Festkörperphysik
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Weitere Informationen: http://www.iaf.fhg.de