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Infineon expandiert in China

28.07.2003


Joint Venture mit Chinesischer CSVC für Montage und Test von Speicherchips gegründet



Infineon Technologies AG und die China-Singapore Suzhou Industrial Park Venture Co. (CSVC), Ltd, Suzhou, China, gründen ein Joint-Venture für die Montage und Test (Backend) von Speicherchips. Der Vertrag sieht vor, im Industriepark von Suzhou, 80 km westlich von Shanghai, ein gemeinsames Werk zu bauen. Als maximale Kapazität sind im Endausbau bis zu 1 Milliarde Chips pro Jahr geplant. Das neue Unternehmen wird unter dem Namen Infineon Technologies Suzhou Co., Ltd, firmieren. Infineon hält 72,5 Prozent der Anteile an dem Joint-Venture, CSVC die restlichen 27,5 Prozent.

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Das neue Werk wird abhängig von dem Wachstum und der Entwicklung des weltweiten Halbleitermarktes in mehreren Stufen aufgebaut. Das geplante Gesamtinvestment über die nächsten 10 Jahre beträgt rund 1 Milliarde US-Dollar bei einem Eigenkapital von 333 Millionen US-Dollar. Dabei wird Infineon über die nächsten 5 Jahre insgesamt 241,4 Millionen US-Dollar als Eigenkapital einbringen, von CSVC kommen 91,6 Millionen US-Dollar. Damit sind die ersten Ausbaustufen gesichert, einschließlich des Baus der Halle, der entsprechenden Infrastruktur und des ersten kostenintensiven Equipments. Die folgenden möglichen Investitionen sind fast ausschließlich für das weitere Equipment vorgesehen. Es ist geplant, diese über das Joint-Venture fremd zu finanzieren. Bei voller Auslastung werden bei Infineon Suzhou über 1.000 Mitarbeiter beschäftigt sein.

„Mit dieser Partnerschaft bauen wir unsere Präsenz im Zukunftsmarkt China konsequent aus, können neue Kunden adressieren und zielen in China auf einen Marktanteil bei Speicherprodukten von 40 Prozent“, kommentierte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender von Infineon. „In China wollen wir insgesamt in den nächsten fünf Jahren eine Top vier Position im Bereich Mikroelektronik mit einem Marktanteil von mehr als 10 Prozent einnehmen. Bis dahin werden wir hier rund 3.300 Mitarbeiter beschäftigen.“

Mit der Joint-Venture-Gründung erweitert Infineon seine hochvolumigen Backend-Standorte (im wesentlichen Porto/Portugal und Malakka/Malaysia) für Speicherprodukte. Mit der kontinuierlichen Erhöhung der Frontend-Kapazitäten – Einführung der 300-mm-Technologie, Kooperationen mit Winbond, SMIC und Nanya – wird automatisch eine Kapazitätserweiterung der Backend-Fertigung erforderlich.

Der Baubeginn ist für Oktober 2003 und Ready-for-Equipment für Mitte 2004 vorgesehen. Die Volumenproduktion soll Anfang 2005 starten. Das Gemeinschaftsunternehmen wird mit der Produktion von 256-Mbit-Bausteinen in BGA-Gehäusen starten. Die Wafer zur Weiterverarbeitung kommen dabei vornehmlich aus den Kooperationen mit SMIC (Shanghai/China), Winbond und Nanya (beide Taiwan), jedoch sind auch Lieferungen aus Dresden und Richmond, USA, vorgesehen.

Über den Backend-Prozess

Bei der Chipfertigung unterscheidet man zwei Prozesse. Während im Frontend auf den Siliziumscheiben durch komplexe Prozesse die Chips entstehen, werden im Backend die Siliziumscheiben, auf denen sich die fertigen Chips befinden, zersägt und die Chips im Gehäuse montiert und getestet. Die daraus entstandenen Komponenten ermöglichen eine einfache Montage der Chips auf Leiterplatten.

Über Infineon in China

Infineon ist mit sechs Standorten im Wachstumsmarkt China vertreten: in Wuxi (Produktion), Xi’an (R&D), Beijing, Shanghai, Shenzhen und Hong Kong (alle Vertrieb und Marketing). Der erste Standort wurde 1995 in Beijing gegründet. Das Unternehmen hat seine China-Zentrale in Shanghai. Derzeit beschäftigt Infineon rund 800 Mitarbeiter in China. Im März 2003 hat Infineon seine erfolgreiche Fertigungs-Kooperation bei Standard-Speicherchips (DRAMs) mit SMIC, Shanghai, erweitert. Infineon transferiert nun neben zukunftsweisendem Fertigungs-Know-how auch seine 300-mm-Technologie und erhält im Gegenzug das exklusive Abnahmerecht für die mit diesen Technologien hergestellten Bausteine.

Ralph Heinrich | Infineon Technologies AG
Weitere Informationen:
http://www.infineon.com

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