Silizium-Abscheidung mittels EBID/IBID
Gasabscheidungsverfahren, bei denen mittels eines Elektronen- oder Ionenstrahls Schichten oder Strukturen aus einem definierten Material auf Substrate aufgetragen werden, finden vor allem in der Editierung von Bauteilen in der Mikroelektronik, der Maskenreparatur oder auch im Bereich der Nanotechnologie Anwendung. Die vorliegende Erfindung stellt dazu ein neues Verfahren zur Verfügung, bei dem mittels eines fokussierten Strahls geladener Teilchen und unter Verwendung Polysilan-basierter Precursoren, eine direkte Abscheidung von Silizium auf einem Substrat vorgenommen werden kann.
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