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Daten am Ende des Tunnels

19.01.2010
Geordnete Spins verbessern Computer-Arbeitsspeicher

Forscher vom Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB) und der französischen Grundlagen-forschungsorganisation CNRS, südlich von Paris, steuern erstmals mit elektrischen Feldern eine als "Spin" bezeichnete Eigenschaft von Elektronen so, dass damit Daten dauerhaft gespeichert werden können. Das im Fachjournal Science online publizierte Prinzip könnte nicht nur die Arbeitsspeicher in Computern revolutionieren, sondern auch andere elektronische Bauteile verbessern.

Neuartige Arbeitsspeicher nutzen den so genannten "magnetischen Tunnelwiderstand" TMR (Tunnel Magneto Resistance). Dabei werden zwei dünne Magnetschichten durch einen nur einen Millionstel Millimeter dicken Isolator voneinander getrennt. Obwohl der Isolator eigentlich keine Elektronen durchlässt, können einige der Ladungsträger trotzdem wie durch einen Tunnel auf die andere Seite schlüpfen. Möglich ist dies aufgrund eines Quanteneffekts. Alle Elektronen haben einen Eigendrehimpuls, was Physiker als Spin bezeichnen. Der Spin kann entweder den Zustand "up" oder "down" annehmen. Enthalten beide Magnetschichten eines TMR überwiegend Spins der gleichen Orientierung, tunneln die Elektronen viel leichter als wenn eine Magnetschicht vor allem "up"-Spins und die andere überwiegend "down"-Spins enthält.

Mit solch einem Bauelement, in dem beide Magnetschichten Elektronen mit gleichem Spin haben, kann man einen Speicher herstellen, der ähnlich wie ein herkömmlicher Arbeitsspeicher rasch und oft mit Daten neu beschrieben werden kann.

Derartige auch als MRAM bezeichnete Arbeitsspeicher benötigen zum Schreiben der Daten aber relativ starke Magnetfelder und daher auch viel Energie. Das könnte sich mit der Grundlagenforschung ändern, die CNRS-Forscher Vincent Garcia und Manuel Bibes jetzt im Wissenschaftsmagazin Science vorstellen: Sie haben den Isolator aus einer Bariumtitanat genannten Verbindung hergestellt. HZB-Forscher Sergio Valencia und Florian Kronast haben die chemische Zusammensetzung der beteiligten Mag-netschichten mithilfe der "Röntgenabsorptionsspektroskopie" untersucht.

Mit einem elektrischen Feld können die Wissenschaftler diesen Isolator so schalten, dass er die Spins der Elektronen in den angrenzenden magnetischen Schichten und damit auch das Tunneln beeinflusst. Da die Schaltung im Isolator auch ohne Strom erhalten bleibt, könnte man nach diesem Vorbild zum Beispiel Arbeitsspeicher für PCs bauen, die wenig Energie verbrauchen und trotzdem die Daten dauerhaft speichern.

Artikel in Science, DOI: 10.1126/science.1184028

Ferroelectric control of spin polarization: V. Garcia, M. Bibes, L. Bocher, S. Va-lencia, F. Kronast, A. Crassous, X. Moya, S. Enouz-Vedrenne, A. Gloter, D. Imhoff, C. Deranlot, N. D. Mathur, S. Fusil, K. Bouzehouane and A. Barthélémy

Weitere Informationen:

Helmholtz-Zentrum Berlin, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin

Dr. Sergio Valencia Molina
Institut Komplexe Magnetische Materi-alien
Tel.: +49-30-6392-5750
sergio.valencia@helmholtz-berlin.de
Dr. Florian Kronast
Abteilung Magnetisierungsdynamik
Tel.: +49-30-6392-4620
florian.kronast@helmholtz-berlin.de
Pressestelle:
Dr. Ina Helms
Tel.: +49-30-8062-2034
ina.helms@helmholtz-berlin.de

Dr. Ina Helms | idw
Weitere Informationen:
http://www.helmholtz-berlin.de

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